[发明专利]半导体器件及半导体存储装置有效
| 申请号： | 201110114256.1 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102768850A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;童小东;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 存储 装置 | ||
1.一种用作存储单元的半导体器件，包括：
依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该半导体器件中存储第一数据状态。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该半导体器件中存储第二数据状态。
4.一种半导体存储装置，包括：
存储单元阵列，其中每一存储单元包括根据权利要求1所述的半导体器件；
沿第一方向排列的多条字线；以及
沿不同于第一方向的第二方向排列的多条位线，
其中，每一存储单元连接到相应的字线和相应的位线。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，
通过一条位线和一条字线，向与该位线和字线相连的存储单元施加大于穿通电压VBO的正向偏置，来在该存储单元中写入第一数据。
6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，
通过一条位线和一条字线，向与该位线和字线相连的存储单元施加处于该存储单元的反向击穿区的反向偏置，来在该存储单元中写入第二数据。
7.根据权利要求5或6所述的半导体存储装置，其中，
通过一条位线和一条字线，向与该位线和字线相连的存储单元施加大于临界电压Vcrit且小于穿通电压VBO的读取偏置，来读取该存储单元中存储的数据，
其中，当流过存储单元的电流相对较大时，确定该存储单元中存储有第一数据；而当流过存储单元的电流相对较小时，确定该存储单元中存储有第二数据。
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