[发明专利]监测结合表面反弹的设备和方法、线结合设备及记录介质无效
申请号: | 201110116451.8 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102237263A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 金寿成 | 申请(专利权)人: | 三星LED株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/66 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 结合 表面 反弹 设备 方法 记录 介质 | ||
本申请要求于2010年4月27日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0038930号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用被包含于此。
技术领域
本发明涉及一种用于监测结合表面反弹的设备、一种具有该设备的线结合设备、一种用于监测结合表面反弹的方法、一种可使用电子装置读取的记录有用于实时地监测结合表面反弹的方法的记录介质。
背景技术
用于制造半导体的工艺被分类成制造(FAB)工艺、电子裸芯片分类(electronic die sorting,EDS)工艺以及装配工艺。在这种情况下,FAB工艺被分成扩散工艺、拍摄工艺、蚀刻工艺以及薄膜工艺,其中,EDS工艺是一种通过对构成经历了FAB工艺的晶片的每个芯片进行电气特性测试来辨别芯片是否存在缺陷的工艺,装配工艺是这样一种工艺,该工艺根据EDS工艺将质量好的芯片逐个地分离,以使这些芯片形成封装状态,使得这些芯片具有电气特性和物理特性,从而保护这些芯片免受外部机械/物理/化学冲击的影响并将这些芯片安装在印刷电路板(PCB)上。
装配工艺将晶片上的这些芯片逐个地分离,并将分离的芯片结合到引线框架。接下来,执行使用高纯度金线将这些芯片与毛细管(capillary)连接的线结合工艺,以在引线框架的引线和芯片的焊盘(用作芯片电路端子的栅极)之间进行电连接。
在线结合工艺中,由于半导体芯片(或者裸芯片)或者引线框架未被固定,所以可能会发生反弹。半导体芯片(或者裸芯片)或者引线框架的反弹表示半导体芯片或者引线框架漂浮在加热部件(heat block)上的状态。
因此,半导体芯片或者引线框架的反弹导致结合面不稳定、引线框架或者焊盘的相互作用不稳定或者设备的结合参数不稳定,而这些是导致各种类型的缺陷的因素。
由于上述问题,装配工艺或者封装工艺通过在制造工艺期间更换模型时使用钳子挤压引线框架或者焊盘,或者通过监测电路板壳体中的加热部件的真空压力来检测反弹,来帮助改进加热部件的设计以及固定引线框架或者焊盘的窗口夹(window clamp)的设计、帮助开发精确地制造加热部件和窗口夹的技术、帮助使用确定反弹的方法。
然而,因当金属引线框架的夹持状态不完全或者无法使用加热部件的真空压力时的反弹而使引线框架的质量劣化。
发明内容
本发明的一方面提供一种用于监测结合表面反弹的设备、一种具有该设备的线结合设备以及一种用于监测结合表面反弹的方法,所述用于检测结合表面反弹的设备自动实时地监测是否存在结合表面反弹,以检测反弹的产生并且告知制造者反弹的产生。
根据本发明的一方面,提供一种用于监测结合表面反弹的设备,所述设备包括:传感器,在结合期间实时地测量毛细管高度;反弹检测器,从在结合执行周期期间实时地测量的毛细管高度获取毛细管高度的变化率,并且通过将获取的变化率与设定的参考变化率比较来检测是否存在结合表面反弹。
所述参考变化率可在所述结合之前被重新设定。
用于监测结合表面反弹的设备还可包括:显示单元,当在反弹检测器中检测到结合表面反弹时,显示单元向外界显示存在结合表面反弹。
显示单元可包括灯或者警报装置。
传感器可以是测量毛细管的z轴高度的编码器。
根据本发明的另一方面,提供一种用于监测结合表面反弹的设备,所述设备包括:传感器,在结合期间实时地测量从毛细管传递到结合表面的力的反馈值;反弹检测器,获取在结合执行周期期间实时地测量的力的反馈值的变化率,并且通过将获取的变化率与设定的参考变化率比较来检测是否存在结合表面反弹。
所述参考变化率可在所述结合之前被重新设定。
用于监测结合表面反弹的设备还可包括:显示单元,当在反弹检测器中检测到结合表面反弹的产生时,显示单元向外界显示检测到结合表面反弹。
传感器可以是压电式传感器。
根据本发明的另一方面,提供一种用于监测结合表面反弹的设备,所述设备包括:第一传感器,在结合期间实时地测量毛细管高度;第二传感器,在结合期间实时地测量从毛细管传递到结合表面的力的反馈值;反弹检测器,从在结合执行周期期间实时地测量的毛细管高度获取毛细管高度的变化率,并且通过将获取的变化率与设定的第一参考变化率比较来检测是否存在结合表面反弹,或者从在结合执行周期期间实时地测量的力的反馈值获取力的反馈值的变化率,并且通过将获取的变化率与设定的第二参考变化率比较来检测是否存在结合表面反弹。
第一参考变化率和第二参考变化率可在所述结合之前被重新设定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造