[发明专利]监控金属硅化物层形成工艺的方法有效
| 申请号： | 201110117350.2 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102214551A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 江红 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监控 金属硅 化物层 形成 工艺 方法 | ||
1.一种监控金属硅化物层形成工艺的方法，其特征在于，包括：
提供目标电阻值范围；
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括沿半导体衬底表面交替排布的n型掺杂区和p型掺杂区，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区有界面；
在所述n型掺杂区和p型掺杂区表面形成金属硅化物层，所述金属硅化物层与相邻的n型掺杂区和p型掺杂区的界面相交；
测量所述金属硅化物层的电阻值，并与目标电阻值范围进行比较，如果在目标电阻值范围之内，则所述金属硅化物层形成工艺满足要求，如果在目标电阻值范围之外，则所述金属硅化物层形成工艺不满足要求。
2.依据权利要求1所述的监控金属硅化物层形成工艺的方法，其特征在于，采用自对准工艺在所述n型掺杂区和p型掺杂区表面形成金属硅化物层。
3.依据权利要求1所述的监控金属硅化物层形成工艺的方法，其特征在于，所述金属硅化物层在平行于半导体衬底的表面形成盘旋状的蛇形排布。
4.依据权利要求1至3中任意一项所述的监控金属硅化物层形成工艺的方法，其特征在于，所述金属硅化物层的金属材料是钛、钴、镍中的任意一种。
5.依据权利要求4所述的监控金属硅化物层形成工艺的方法，其特征在于，在所述金属硅化物层的金属材料是钴的工艺中，所述目标电阻值范围是1-20ohm/sqr。
6.一种监控金属硅化物层形成工艺的结构，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括沿半导体衬底表面交替排布的n型掺杂区和p型掺杂区，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区有界面；
其特征在于，还包括：
位于所述n型掺杂区和p型掺杂区表面的金属硅化物层，所述金属硅化物层与相邻的n型掺杂区和p型掺杂区的界面相交。
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