[发明专利]监控金属硅化物层形成工艺的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体技术，特别涉及一种监控金属硅化物层形成工艺的方法。

背景技术

在半导体的制作工艺中，为了减小互连结构与其他器件之间的接触电阻，通常会在器件表面形成金属硅化物层。为了形成所述金属硅化物层，首先在器件表面形成介质层，之后，将需要形成金属硅化物层的区域表面的介质层刻蚀去除，露出用来形成金属硅化物层的区域；随后，在器件表面上继续沉积金属材料及保护层，所述保护层在后续退火处理中防止金属材料氧化；接着，通过快速热处理的方式将所述金属材料与器件表面的硅熔合，以形成金属硅化物层。但是，在实际中发现，所形成的金属硅化物层的电学性质受金属硅化物层形成工艺的影响比较大。在实际中还发现，在p型掺杂区和n型掺杂区的交界处表面所形成的金属硅化物层的电学性质越发容易受到金属硅化物层形成工艺的影响，所以对金属硅化物层形成工艺进行监控是必要的，随着工艺尺寸的缩小，对金属硅化物层形成工艺进行有效监控越发重要。

在公开号为CN101494158A的中国专利申请中公开了一种监控金属硅化物层形成工艺的方法，具体包括：在形成有金属硅化物层的源漏极区施加正向电压，测量源漏极区的正向导通电流；然后判断测量的正向导通电流是否在允许值范围内，若前者超出后者，则说明金属硅化物层形成工艺存在问题；若前者未超出后者，则说明金属硅化物层形成工艺符合要求。但是所述方法并没有对金属硅化物层形成工艺，特别是在p型掺杂区和n型掺杂区交界处的表面形成金属硅化物层的金属硅化物层形成工艺进行有效监控。

发明内容

本发明的实施例解决的问题是提供一种监控金属硅化物层形成工艺的方法，以对金属硅化物层形成工艺，特别是在p型掺杂区和n型掺杂区交界处的表面形成金属硅化物层的金属硅化物层形成工艺进行有效监控。

为解决上述问题，本发明的实施例提供一种监控金属硅化物层形成工艺的方法，包括：

提供目标电阻值范围；

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括沿半导体衬底表面交替排布的n型掺杂区和p型掺杂区，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区有界面；

在所述n型掺杂区和p型掺杂区表面形成金属硅化物层，所述金属硅化物层与相邻的n型掺杂区和p型掺杂区的界面相交；

测量所述金属硅化物层的电阻值，并与目标电阻值范围进行比较，如果在目标电阻值范围之内，则所述金属硅化物层形成工艺满足要求，如果在目标电阻值范围之外，则所述金属硅化物层形成工艺不满足要求。

可选地，采用自对准工艺在所述n型掺杂区和p型掺杂区表面形成金属硅化物层。

可选地，所述金属硅化物层在平行于半导体衬底的表面形成盘旋状的蛇形排布。

可选地，所述金属硅化物层的金属材料是钛、钴、镍中的任意一种。

可选地，在所述金属硅化物层的金属材料是钴的工艺中，所述目标电阻值范围是1-20ohm/sqr。

相应地，本发明还提供一种监控金属硅化物层形成工艺的结构，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括沿半导体衬底表面交替排布的n型掺杂区和p型掺杂区，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区有界面；还包括：

位于所述n型掺杂区和p型掺杂区表面的金属硅化物层，所述金属硅化物层与相邻的n型掺杂区和p型掺杂区界面相交。

与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点：

本发明的实施例形成与相邻的n型掺杂区和p型掺杂区的界面相交的金属硅化物层，通过测量所形成的金属硅化物层的电阻值，并与目标电阻值进行比较，而判断金属硅化物层形成工艺是否满足要求，从而提供了一种有效监控金属硅化物层形成工艺的方法，特别是提供了一种对在n型掺杂区和p型掺杂区交界处表面形成金属硅化物层的工艺进行有效监控的方法；

其次，本发明的实施例中，所形成的金属硅化物层在平行于半导体衬底的表面形成盘旋式排布，比如形成盘旋状的蛇形排布，从而可以同时对在n型掺杂区和p型掺杂区交界处不同位置形成金属硅化物层，并且不同位置所形成的金属硅化物层是连续的，所以可以通过一次测量，并与目标电阻值进行比较，检测形成于不同位置的金属硅化物层是否有缺陷，从而提高了监控的效率。

附图说明

图1是本发明的实施例所提供的监控金属硅化物层形成工艺的方法的流程示意图；

图2是本发明一个实施例所提供的半导体衬底的俯视图示意图；

图3是在本发明一个实施例所提供的半导体衬底表面形成金属硅化物层后的俯视图示意图。

具体实施方式