[发明专利]用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法有效
| 申请号： | 201110118009.9 | 申请日： | 2011-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102225837A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 方清 | 申请（专利权）人： | 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C03B20/00 | 分类号： | C03B20/00 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛 |
| 地址： | 212218 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 铸锭 喷涂 熔融 石英 坩埚 制造 方法 | ||
1.一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将块状及粒状高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒，研磨后的料浆粒径为10μm～50μm；
(2)将料浆充分搅拌后，再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀，然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型，脱模；
(3)脱模后的坯体在180℃以下进行干燥，制得毛坯；
(4)对毛坯进行打磨、清洁预处理；
(5)在毛坯内表面喷涂0.2～0.7mm的氮化硅涂层；
(6)将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000～1300℃下烧结14～24小时。
2.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：所述氮化硅涂层为20～25wt％的Si3N4水溶液。
3.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(4)中打磨过程为采用砂轮打磨毛坯底部，清洁过程为清洁毛坯内表面。
4.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：所述块状高纯熔融石英原料与粒状高纯熔融石英原料的质量比为25～30∶70～75，所述块状高纯熔融石英原料的粒径为20～60mm，所述粒状高纯熔融石英原料的粒径为5～20mm。
5.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(1)中湿法造粒过程中加入高纯熔融石英原料质量20～30％的水。
6.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：所述粉状高纯熔融石英原料与步骤(1)中所述料浆的质量比为30～40∶70～60，所述粉状高纯熔融石英原料粒径为50～200目。
7.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(2)中料浆在加入粉状高纯熔融石英原料前充分搅拌72小时以上。
8.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(2)中脱水成型的时间为5～20小时。
9.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(3)中干燥温度为100～180℃。
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