[发明专利]发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件阵列，包括：

第一支撑构件；

至少两个结合层，所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上；

第二支撑构件，所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上；

发光结构，所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及

第一电极，所述第一电极被布置在所述发光结构上。

2.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米。

3.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述结合层包括凹凸结构，所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上。

4.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。

5.根据权利要求4所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同。

6.根据权利要求4所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同。

7.根据权利要求4所述的发光器件阵列，其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同。

8.根据权利要求1所述的发光器件阵列，进一步包括：

欧姆层，所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间。

9.根据权利要求8所述的发光器件阵列，进一步包括：

反射层，所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。

10.根据权利要求9所述的发光器件阵列，进一步包括：

粘附层，所述粘附层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。

11.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述第二支撑构件是导电支撑基板并且所述导电支撑基板包括从由Mo、Si、W、Cu以及Al组成的组或者所述组的合金、Au、Cu合金、Ni-镍、Cu-W以及载具晶圆中选择的材料中的至少一个。

12.根据权利要求8所述的发光器件阵列，其中所述欧姆层包括从由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IZON、AGZO、IGZO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf组成的组中选择的至少一个。

13.根据权利要求9所述的发光器件阵列，其中所述反射层包括Al、Ag、Pt以及Rh的合金、Al、Ag、Ni、Pt以及Rh中的至少一个。

14.根据权利要求10所述的发光器件阵列，其中所述粘附层包括从由Au、Sn、In、Al、Si、Ag、Ni以及Cu组成的组或者所述组的合金中选择的至少一个。

15.根据权利要求1所述的发光器件阵列，其中所述第一支撑构件包括PVC、PAT以及PPT中的一个。

16.根据权利要求15所述的发光器件阵列，其中所述第一支撑构件进一步包括环氧树脂。

17.一种发光器件封装，包括：

封装主体；

发光器件，所述发光器件被布置在所述封装主体上，所述发光器件包括至少一个结合层、被布置在所述至少一个结合层上的导电支撑基板以及被布置在至少一个导电支撑基板上的发光结构，所述发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；

第一和第二电极，所述第一和第二电极被布置在所述封装主体上，所述第一和第二电极与所述发光器件连接；以及

填充材料，所述填充材料被构造为围绕所述发光器件。

18.根据权利要求17所述的发光器件封装，其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米。

19.根据权利要求17所述的发光器件封装，其中所述结合层包括凹凸结构，所述凹凸结构形成在所述封装主体的表面上。

20.根据权利要求17所述的发光器件封装，其中发光器件的导电支撑基板通过金属层与相邻的发光器件的导电支撑基板连接。