[发明专利]发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件阵列封装。

背景技术

由于薄膜生长和薄膜器件元件的发展，使用半导体的3-5族或者2-6族化合物半导体元素的包括发光二极管和激光二极管的发光器件能够呈现各种颜色，例如，红色、绿色和蓝色以及红外线。荧光材料使用或者颜色组合允许发光器件呈现具有优异的光效率的白光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统的光源相比，这样的发光器件具有低功率消耗、半永久性使用、快速响应速度、安全以及环保的数个优点。

发光器件已经被广泛地应用于光通信装置的发射模块、替代冷阴极荧光灯(CCFL)的构成液晶显示(LCD)装置的背光的发光二极管背光、替代荧光灯和白炽灯的白色发光二极管照明(lightening)装置、汽车头灯以及甚至交通灯。

发明内容

因此，实施例涉及一种发光器件阵列、用于制造发光器件阵列的方法以及发光器件封装。

实施例的目的是使得能够平滑地并且有效地执行发光器件的贴片/引线键合工艺。

在随后的描述中将会部分地阐述本发明的额外的优点和特征，并且部分优点和特征对于已经研究过下面所述的本领域技术人员来说将是显而易见的，或者部分优点或特征将通过本发明的实践来知晓。通过在给出的描述及其权利要求以及附图中部分地指出的结构可以实现并且获得本发明的目的和其它的优点。为了实现这些目的和其它的优点并且根据本发明的目的，如在此具体化并且一般性地描述的，一种发光器件阵列，包括：第一支撑构件；至少两个结合层，该至少两个结合层被布置在第一支撑构件上；第二支撑构件，该第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上；发光结构，该发光结构被布置在第二支撑构件上，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及第一电极，该第一电极被布置在发光结构上。

结合层的边缘可以位于发光结构的边缘以内1～10微米处。

结合层可以包括凹凸结构，该凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上。

发光器件的第二支撑构件可以通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。

金属层的组成的至少预定部分可以与第二支撑构件的组成相同。

金属层的组成的至少预定部分可以与结合层的组成相同。

金属层的组成的至少预定部分可以与发光结构的组成相同。

发光器件阵列可以进一步包括欧姆层，该欧姆层被布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。

发光器件阵列可以进一步包括反射层，该反射层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间。

发光器件阵列可以进一步包括粘附层，该粘附层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间。

第二支撑构件可以是导电支撑基板并且导电支撑基板包括从由Mo、Si、W、Cu以及Al组成的组或者组的合金、Au、Cu合金、Ni-镍、Cu-W以及载具晶圆中选择的材料中的至少一个。

欧姆层可以包括从由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IZON、AGZO、IGZO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf组成的组中选择的至少一个。

反射层可以包括Al、Ag、Pt以及Rh的合金、Al、Ag、Ni、Pt以及Rh中的至少一个。

粘附层可以包括从由Au、Sn、In、Al、Si、Ag、Ni以及Cu组成的组或者组的合金中选择的至少一个。

第一支撑构件可以包括PVC、PAT以及PPT中的一个。

第一支撑构件可以进一步包括环氧树脂。

在实施例的另一方面中，发光器件封装包括：封装主体；发光器件，该发光器件被布置在封装主体上，发光器件包括至少一个结合层、被布置在至少一个结合层上的导电支撑基板以及被布置在至少一个导电支撑基板上的发光结构，该发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；第一和第二电极，该第一和第二电极被布置在封装主体上，第一和第二电极与发光器件连接；以及填充材料，该填充材料被构造为围绕发光器件。

根据发光器件，用于制造发光器件的方法以及发光器件封装，可以改进器件性质和制造效率。