[发明专利]具有芯片外控制器的存储器装置及其制造方法有效
申请号: | 201110119512.6 | 申请日: | 2011-05-06 |
公开(公告)号: | CN102768995A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 陈士弘;吕函庭;谢光宇 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/768;H01L25/065;G11C11/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 芯片 控制器 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种存储器装置的制造方法,包括:
形成一存储器电路,该存储器电路包括多个存储单元,该存储器电路具有一第一互连表面,该第一互连表面具有一第一组互连位置,该第一组互连位置的多个互连位置被电性耦接至该多个存储单元中相对应的存储单元;
形成一外围电路,该外围电路提供用以操作该存储器电路的控制信号,该外围电路具有一第二互连表面,该第二互连表面具有一第二组互连位置;以及
连接该存储器电路的该第一互连表面至该外围电路的该第二互连表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该第一互连表面与该第二互连表面连接的方式为该第二互连表面设置于该第一互连表面上。
3.根据权利要求1所述的方法,其中:
形成该存储器电路的步骤包括执行一第一工艺以形成该多个存储单元于一第一衬底上;以及
形成该外围电路的步骤包括执行一第二工艺以形成该外围电路于一第二衬底上,该第二工艺与该第一工艺不相同。
4.根据权利要求1所述的方法,其中:
形成该存储器电路的步骤包括形成该存储器电路于一第一衬底;以及
形成该外围电路的步骤包括形成该外围电路于一第二衬底,该第二衬底与该第一衬底分开地设置。
5.根据权利要求1所述的方法,其中该连接步骤包括直接地接合该第一互连表面至该第二互连表面。
6.根据权利要求1所述的方法,其中该第一组互连位置是于该第一互连表面上设置成一图案,该图案是对应至该第二互连表面上的该第二组互连位置所设置而成的另一图案,使得连接该第一互连表面至该第二互连表面时,该第一组互连位置中的该多个互连位置得以对齐于该第二组互连位置中所对应的多个互连位置。
7.根据权利要求1所述的方法,其中连接该第一互连表面至该第二互连表面的步骤更包括:
连接该存储器电路的该第一互连表面至一中介层,使得该第一组互连位置中的该多个互连位置电性耦接至该中介层上相对应的多个导电元件;以及
连接该外围电路的该第二互连表面至该中介层,使得该第二组互连位置中的多个互连位置电性耦接至该中介层上相对应的多个导电元件。
8.根据权利要求1所述的方法,其中:
形成该存储器电路与形成该外围电路的步骤包括,形成该存储器电路及该外围电路其中之一于一衬底上,且移除该存储器电路及该外围电路的该其中之一于该衬底;以及
连接该第一互连表面至该第二互连表面的步骤包括,当移除该存储器电路及该外围电路的该其中之一于该衬底后,匹配该存储器电路及该外围电路的该其中之一至另一存储器电路以及另一外围电路。
9.根据权利要求1所述的方法,其中该外围电路产生多个第一操作信号以操作该多个存储单元中的一第一存储单元,且该外围电路产生多个第二操作信号以操作该多个存储单元中的一第二存储单元,该多个第一操作信号不同于该多个第二操作信号。
10.根据权利要求1所述的方法,其中:
该存储器电路包括该多个存储单元中的一第一阵列以及该多个存储单元中的一第二阵列,该第一阵列及该第二阵列具有独立的存取线路以及不同的存取时序;以及
该外围电路施加不同的时序至该第一阵列及该第二阵列。
11.根据权利要求1所述的方法,其中该存储器电路更包括多条存取线路,该第一组互连位置中的该多个互连位置透过该多个存取线路电性耦接至该多个相对应的存储单元。
12.一种存储器装置,包括:
一存储器电路,包括多个存储单元,该存储器电路具有一第一互连表面,该第一互连表面具有一第一组互连位置,该第一组互连位置中的多个互连位置电性耦接至该多个存储单元中相对应的存储单元;以及
一外围电路,用以提供多个控制信号以操作该存储器电路,该外围电路具有一第二互连表面,该第二互连表面具有一第二组互连位置;
其中该外围电路的该第二互连表面于一互连接口连接至该存储器电路的该第一互连表面。
13.根据权利要求12所述的装置,其中该第二互连表面设置于该第一互连表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造