[发明专利]用于具有棋盘式布局的晶体管的栅极金属布线

权利要求书

1.一种制备晶体管的方法，

所述晶体管包括：

衬底；

被组织成多个部分的多个晶体管段，每个晶体管段具有长度和宽度，每个部分的晶体管段沿长度被设置成并排关系，所述部分被设置成行和列，每行的部分被设置成使得晶体管段的部分到部分的长度沿第一和第二横向交替对准，第一横向基本垂直于第二横向，每个晶体管段包括：

半导体材料柱，所述柱具有设置在衬底的顶表面处或附近的源极区以及本体区，

分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱，

分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板，

分别设置在邻近所述本体区的所述柱的顶部处或附近的第一和第二介电区中的第一和第二栅极元件；

第一金属层，其包括耦合到每个晶体管段的源极区的源极汇流排；以及

耦合到每个晶体管段的第一和第二栅极元件的栅极汇流排，

所述方法包括利用单金属层工艺来制作所述栅极汇流排，所述栅极汇流排和源极汇流排被设置在相同的平坦水平面上。

2.一种晶体管，包括：

被组织成多个部分的多个晶体管段，每个晶体管段具有长度和宽度，每个部分的晶体管段沿长度被设置成并排关系，所述部分被设置成行和列，每行的部分被设置成使得晶体管段的部分到部分的长度沿第一和第二横向交替对准，第一横向垂直于第二横向，每个晶体管段包括：

半导体材料柱，所述柱具有设置在顶表面处或附近的源极区，

分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，

分别设置在第一和第二介电区中的第一和第二栅极元件，以及

第一金属层，其包括耦合到每个晶体管段的源极区的源极汇流排；以及

耦合到每个晶体管段的第一和第二栅极元件的栅极汇流排。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述柱沿第一和第二横向延伸以形成跑道形环或椭圆。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述柱进一步包括：

延伸漏极区；以及

垂直地分开源极和延伸漏极区的本体区，所述第一和第二栅极元件分别设置在邻近所述本体区的所述柱的相对侧上。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述栅极汇流排包括与每行相关联的顶部和底部线，具有沿第一横向对准的段的长度的部分具有耦合到顶部线的段的第一半的第一和第二栅极元件，并且所述段的第二半的第一和第二栅极元件耦合到底部线。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中所述栅极汇流排进一步包括一对短截线，其中对所述段的长度沿第二横向对准的每一部分而言，所述段的第一半的第一和第二栅极元件耦合到该对短截线中的第一个，并且所述段的第二半的第一和第二栅极元件耦合到该对短截线中的第二个。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其中该对短截线的第一个和第二个沿第一横向跨越每行延伸大约一半长度。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其中所述顶部和底部线沿第二横向对准，并且所述短截线中的第一和第二个沿第一横向对准。

9.根据权利要求5所述的晶体管，其中所述源极汇流排在所述顶部与底部线之间跨越每一行连续延伸。

10.根据权利要求6所述的晶体管，其中所述源极汇流排在所述栅极汇流排的顶部与底部线之间跨越每一行、并且围绕该对短截线中的第一个和第二个连续延伸。

11.根据权利要求6所述的晶体管，其中所述源极汇流排迂回在短截线之间并围绕短截线，并且迂回在所述栅极汇流排的顶部与底部线之间。

12.根据权利要求6所述的晶体管，其中：

所述栅极汇流排在所述部分的行之间延伸；并且

所述晶体管还包括第二栅极汇流排，所述第二栅极汇流排沿着所述部分的行中的第一行的顶部或底部延伸。

13.根据权利要求12所述的晶体管，其中所述栅极汇流排是所述第二栅极汇流排的两倍宽。

14.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述第一和第二栅极元件仅在一端连接到汇流线。