[发明专利]基于多晶硅的超材料制备方法和基于多晶硅的超材料无效
| 申请号： | 201110121343.X | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102776566A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;杨宗荣;缪锡根 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01Q15/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
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| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 多晶 材料 制备 方法 | ||
1.一种基于多晶硅的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：
对硅衬底进行氧化，获得二氧化硅绝缘层；
在所述二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅；
在所述多晶硅上涂覆一层光刻胶，根据预设的微阵列结构对所述光刻胶进行光刻；
将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述多晶硅上；
去除涂覆在所述多晶硅上的光刻胶，得到具有所述微阵列结构的超材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述多晶硅中掺入杂质。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述多晶硅中掺入杂质，包括：
将P型或者N型杂质注入到所述多晶硅中。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对硅衬底进行氧化，包括：
采用湿法氧化的方法，对所述硅衬底进行氧化。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对硅衬底进行氧化，包括：
采用干法氧化的方法，对所述硅衬底进行氧化。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅，还包括：
在所述多晶硅中掺入杂质。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述多晶硅上，包括：
采用湿法蚀刻的方法，在所述多晶硅上蚀刻出光刻胶上光刻后形成的图形。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述金属箔上，包括：
采用干法刻蚀的方法，在所述氧化硅上刻蚀出光刻胶上光刻后形成的图形。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除涂覆在所述金属箔上的光刻胶，包括：
采用碱洗去涂覆在所述金属箔上的光刻胶。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述采用碱洗去涂覆在所述金属箔上的光刻胶，包括：
采用丙酮洗去涂覆在所述金属箔上的光刻胶。
11.一种基于多晶硅的超材料，其特征在于，包括采用权利要求1至10任意一项所述的方法制备的基于多晶硅的超材料。
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