[发明专利]基于多晶硅的超材料制备方法和基于多晶硅的超材料

说明书

【技术领域】

本发明涉及复合材料技术领域，尤其涉及一种基于多晶硅的超材料制备方法和基于多晶硅的超材料。

【背景技术】

随着雷达探测、卫星通讯、航空航天等高新技术的快速发展，以及抗电磁干扰、隐形技术、微波暗室等研究领域的兴起，微波吸收材料的研究越来越受到人们的重视。由于超材料能够出现非常奇妙的电磁效应，可用于吸波材料和隐形材料等领域，成为吸波材料领域研究的热点。超材料的性质和功能主要来自于其内部的结构，如何制备具有周期性排列的三维精细结构成为超材料制备技术的关键。

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物)工艺是当今半导体工艺中能实现可控的最小尺寸的工艺，现在32nm的工艺逐渐成熟，更小尺寸的工艺正在开发。因此，有效的利用CMOS工艺中的尺寸控制手段，能够制造极小尺寸的微结构，利用不同性质的材料的特殊微结构便能制造出用于特殊性质的超材料。多晶硅是CMOS工艺中使用很广泛的一种材料，具有高度的可控性。但是现有技术中还没有基于多晶硅的超材料制备技术。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是提供一种基于多晶硅的超材料制备方法和基于多晶硅的超材料，能够得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种基于多晶硅的超材料制备方法，该方法包括：

对硅衬底进行氧化，获得二氧化硅绝缘层；

在所述二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅；

在所述多晶硅上涂覆一层光刻胶，根据预设的微阵列结构对所述光刻胶进行光刻；

将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述多晶硅上；

去除涂覆在所述多晶硅上的光刻胶，得到具有所述微阵列结构的超材料。

本发明另一实施例还提供了一种采用上述技术方案制备的基于多晶硅的超材料。

上述技术方案与现有技术相比，具有以下优点：通过对硅衬底进行氧化，获得二氧化硅绝缘层，然后在二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅，在多晶硅上形成微阵列结构，获得基于多晶硅的超材料。由于硅的可控性高，因此基于多晶硅的超材料可控性能更高、也更符合设计要求。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本发明实施例提供的基于多晶硅的超材料制备过程的状态图；

图2是本发明实施例一提供的基于多晶硅的超材料制备方法流程图；

图3是本发明实施例二提供的基于多晶硅的超材料制备方法流程图；

图4是本发明实施例三提供的基于多晶硅的超材料制备方法流程图；

图5是本发明实施例四提供的基于多晶硅的超材料制备方法流程图；

图6是本发明实施例五提供的基于多晶硅的超材料制备方法流程图。

【具体实施方式】

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

首先，为了本领域技术人员更容易理解本发明的技术方案，下面结合图1对本发明的技术方案进行总体介绍：

图1为基于多晶硅的超材料制备过程的状态图，其中：11为在硅衬底上形成一层二氧化硅绝缘层后所示的状态图；12为在二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅后所示的状态图；13为在多晶硅上涂覆一层光刻胶后所示的状态图；14为在光刻胶上刻蚀出所需微阵列结构图形后所示的状态图；15为将光刻胶上光刻后形成的图形转移到多晶硅上所示的状态图；16为除去多晶硅上光刻胶后所示的状态图，从16可以看出，采用本发明实施例提供的基于多晶硅的超材料制备方法，可以制备出具有多晶硅的超材料。

实施例一、

掺见图2，是本发明实施一提供的一种基于多晶硅的超材料制备方法流程图，包括如下步骤：

S21：对硅衬底进行氧化，获得二氧化硅绝缘层。

其中，硅衬底的氧化可以采用干法氧化的方法和湿法氧化的方法。干法氧化和湿法氧化属于本领域技术人员公知的技术，此处不再赘述。

S22：在二氧化硅绝缘层上淀积一层多晶硅。