[发明专利]一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法无效
| 申请号： | 201110121543.5 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102776572A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 唐威;包剑;赵学军 | 申请（专利权）人： | 镇江荣德新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;孙丽梅 |
| 地址： | 212200 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 多晶 表面 处理 方法 | ||
1.一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，依次进行如下步骤：
步骤A：对多晶晶砖表面进行机械研磨处理；
步骤B：将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀，去除所述多晶晶砖表面的损伤层；
步骤C：用酸与所述多晶晶砖表面残留的碱以及生成的硅酸盐进行反应；
步骤D：对所述多晶晶砖进行清洗和烘干。
2.根据权利要求1所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤B中，所述碱性腐蚀剂是氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。
3.根据权利要求2所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液的质量百分比浓度的范围是30％～50％。
4.根据权利要求3所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液的质量百分比浓度的范围是40％～50％。
5.根据权利要求1所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤B中，将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀的反应温度的范围是60～120℃。
6.根据权利要求5所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀的反应温度是100℃。
7.根据权利要求5所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，在95℃温度下，将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中腐蚀120秒。
8.根据权利要求1所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤A进一步包括：
步骤A101：对所述多晶晶砖表面进行机械粗磨；
步骤A102：对粗磨后的所述多晶晶砖表面进行机械精磨。
9.根据权利要求1所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤C中，所述酸是盐酸。
10.根据权利要求9所述的太阳能级多晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述盐酸的质量百分比浓度的范围是5％～10％。
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