[发明专利]一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法无效
申请号: | 201110121543.5 | 申请日: | 2011-05-11 |
公开(公告)号: | CN102776572A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 唐威;包剑;赵学军 | 申请(专利权)人: | 镇江荣德新能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;孙丽梅 |
地址: | 212200 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳 能级 多晶 表面 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能级半导体多晶硅片加工领域,尤其涉及一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法。
背景技术
在太阳能级半导体多晶硅片加工过程中,经线锯开方生成的多晶晶砖由于表面粗糙,且线痕严重,不能直接对其进行切片。
在对多晶晶砖进行切片之前,需要先对多晶晶砖表面的线痕进行处理,现有技术的多晶晶砖表面线痕的处理方法为:使用金钢石磨轮对多晶晶砖表面进行物理法机械研磨处理,以除去多晶晶砖表面的线痕。然而在处理多晶晶砖表面线痕时会在多晶晶砖表面形成新的损伤层,容易导致切片后多晶硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良,因而使得多晶硅片的边缘不良率较高。
发明内容
为了解决现有技术的上述问题,本发明的目的是提供一种能够有效降低多晶硅片的边缘不良率的太阳能级多晶晶砖表面处理方法。
为了实现上述目的,本发明提供了一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法,依次进行如下步骤:
步骤A:对多晶晶砖表面进行机械研磨处理;
步骤B:将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀,去除所述多晶晶砖表面的损伤层;
步骤C:用酸与所述多晶晶砖表面残留的碱以及生成的硅酸盐进行反应;
步骤D:对所述多晶晶砖进行清洗和烘干。
作为优选,所述步骤B中,所述碱性腐蚀剂是氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。
作为进一步地优选,所述氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液的质量百分比浓度的范围是30%~50%。
作为进一步地优选,所述氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液的质量百分比浓度的范围是40%~50%。
作为优选,所述步骤B中,将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀的反应温度的范围是60~120℃。
作为进一步地优选,将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀的反应温度是100℃。
作为进一步地优选,在95℃温度下,将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中腐蚀120秒。
作为优选,所述步骤A进一步包括:
步骤A101:对所述多晶晶砖表面进行机械粗磨;
步骤A102:对粗磨后的所述多晶晶砖表面进行机械精磨。
作为优选,所述步骤C中,所述酸是盐酸。
作为进一步地优选,所述盐酸的质量百分比浓度的范围是5%~10%。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
采用本发明提供的多晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的多晶晶砖表面进行处理,不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕,而且通过碱腐蚀除去了多晶晶砖表面的损伤层,减少了多晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良。
附图说明
图1为本发明的太阳能级多晶晶砖表面处理方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例做进一步地详细说明。
图1为本发明的太阳能级多晶晶砖表面处理方法的流程示意图。如图1所示,本发明提供的太阳能级多晶晶砖表面处理方法按照如下步骤进行:
步骤A:对多晶晶砖表面进行机械研磨处理;
步骤B:将研磨后的所述多晶晶砖放入碱性腐蚀剂中进行腐蚀,去除所述多晶晶砖表面的损伤层;
步骤C:用酸与所述多晶晶砖表面残留的碱以及生成的硅酸盐进行反应;
步骤D:对所述多晶晶砖进行清洗和烘干。
所述步骤A中,利用磨床对所述多晶晶砖表面进行机械研磨处理,以消除所述多晶晶砖在利用线锯开方时留下的线痕,降低多晶晶砖表面的粗糙度;为了使所述多晶晶砖表面的粗糙度在研磨完毕后尽可能小,所述步骤A进一步包括:
步骤A101:对所述多晶晶砖表面进行机械粗磨;
步骤A102:对粗磨后的所述多晶晶砖表面进行机械精磨。
分别使用粗磨设备和精磨设备对所述多晶晶砖表面顺序进行机械粗磨和机械精磨后,多晶晶砖表面粗糙度约为Ry=1±0.2um。
所述步骤B中,常用的碱性腐蚀剂是氢氧化钠(NaOH)溶液或氢氧化钾(KOH)溶液,腐蚀过程的化学反应方程式为:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
或Si+2KOH+H2O=K2SiO3+2H2↑。
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