[发明专利]集成电路钝化层的制造方法及结构无效
| 申请号： | 201110123638.0 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412165A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/314;H01L23/28;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 钝化 制造 方法 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，在包含有大量半导体器件的硅片上覆盖一钝化层；之后在钝化层中进行离子注入，以在钝化层中形成一层非晶层。
2.根据权利要求1所述的集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，在钝化层中形成非晶层后进行低温微秒退火。
3.根据权利要求1所述的集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，所述钝化层采用二氧化硅钝化层。
4.根据权利要求1所述的集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，通过离子注入将所述二氧化硅钝化层的部分硅的晶体结构破坏成非晶结构，从而在钝化层中形成非晶层，以阻断水气可能通过的路径的形成。
5.根据权利要求1所述的集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，所述硅片上包含半导体基底、半导体器件以及金属互联线的硅片。
6.根据权利要求1所述的集成电路钝化层的制造方法，其特征在于，采用氮或碳离子进行离子注入。
7.一种集成电路钝化层的结构，一硅片上设有一钝化层，其特征在于，所述钝化层内设有一非晶层。
8.根据权利要求7所述的集成电路钝化层的结构，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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