[发明专利]一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法

权利要求书

1.一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，其特征是：首先备料：将洗净烘干后的硅料置于电子束熔炼炉中；再预处理：对坩锅水冷、电子枪预热；最后提纯：采用以200-300mA的小束流电子束熔化并熔炼一段时间，然后降低束流为零，待硅锭完全变暗，硅蒸气回凝入熔池后，再次以200-300mA的小束流熔炼多晶硅一段时间后停止束流，重复小束流熔炼和停止束流的操作多次，最后冷却凝固即可得到磷含量很低的多晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，其特征是：所述提纯：打开电子枪的高压和束流，稳定后用电子枪以200-300mA束流轰击高磷含量的多晶硅料，熔化后熔炼5-10min，降低束流为0mA，待硅锭完全变暗之后，再次将电子枪的束流调节至200-300mA进行熔化，熔化后熔炼5-10min，再次降低束流为0mA，再重复200-300mA束流电子束熔化后熔炼5-10min及降束流为0mA的操作3-5次，最后关闭束流，硅液冷却凝固成硅锭，继续抽真空15-30分钟，打开放气阀放气，打开真空盖，即可得到磷含量很低的多晶硅锭。

3.根据权利要求1或2所述的一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，其特征是：所述备料：取一定量高磷含量的多晶硅料，用去离子水清洗4-5次，放入烘干箱中50℃温度下烘干，将此多晶硅料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中。

4.根据权利要求1或2所述的一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法，其特征是：所述预处理：用真空泵组将电子束熔炼炉真空抽至0.002Pa以下；对底部带冷却的熔炼坩埚进行水冷，温度维持在25-45℃；预热电子枪，设置高压为28-30kV，高压预热5-10分钟后，关闭高压，电子枪束流设置为100-200mA，进行预热，预热10-15分钟后，关闭电子枪束流。