[发明专利]一种抗紫外线的CeO2纳米薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110126985.9 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102276160A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘连利;周丽;孙彤;刘玉静;王莉丽 | 申请（专利权）人： | 渤海大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁省锦州市高新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外线 ceo sub 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗紫外线的CeO2纳米薄膜的制备方法，其特征在于：将Ce(NO3)3·6H2O固体溶于去离子水中，配成0.002-0.014mol/L的Ce(NO3)3·6H2O溶液，继续加入H2O2与CO(NH2)2，以物质的量比计，Ce(NO3)3·6H2O：H2O2 ：CO(NH2)2=1：0.5-2：2-3，搅拌使其溶解，得到前躯体溶液；将前驱体溶液投入高压釜中，将干净的基片放入高压釜中，所述的基片为玻璃片或石英片，加热到110-200℃，反应2-11h，冷却到室温后，取出基片，用超声清洗基片上的粉体，然后烘干，在基片上形成抗紫外线的CeO2纳米薄膜。
2.根据权利要求1所述的抗紫外线的CeO2纳米薄膜的制备方法，其特征在于：反应温度为150-200℃。
3.根据权利要求1所述的抗紫外线的CeO2纳米薄膜的制备方法，其特征在于：反应时间为2-5h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于渤海大学，未经渤海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110126985.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种标准型低压抽屉柜
- 下一篇：一种煤矿风机用双电源真空电磁起动器
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
