[发明专利]一种抗紫外线的CeO2纳米薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110126985.9 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102276160A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘连利;周丽;孙彤;刘玉静;王莉丽 | 申请（专利权）人： | 渤海大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁省锦州市高新*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外线 ceo sub 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种抗紫外线的CeO2纳米薄膜的制备方法。
背景技术
近年来，大量化学物质破坏了大气层中的臭氧层，使其吸收紫外线的能力大大降低，导致人类接受过量的紫外线辐射。严格来说，紫外线对人体的伤害按波长不同分为3种：UVA（波长315nm～400nm）可以直达肌肤的真皮层，破坏弹性纤维和胶原蛋白纤维，将我们的皮肤晒黑；UVB（波长280nm～315nm）对人体具有红斑作用，能促进体内矿物质代谢和维生素D的形成，但长期或过量照射会令皮肤晒黑，并红肿脱皮；UVC（波长200nm～280nm）对人体的伤害很大，短时间照射即可灼伤皮肤，长期或高强度照射还会造成皮肤癌。紫外线的波长愈短，对人类皮肤危害越大。
对紫外线的屏蔽性能比较突出的无机纳米氧化物材料，包括二氧化铈、二氧化钛、二氧化硅等，其中二氧化铈是一种禁带宽度较大的紫外吸收材料，尤其对UVB吸收效果最好。目前对二氧化铈的粉体研究较多，但对其薄膜研究较少。《CeO2纳米薄膜的制备》中采用溶胶-凝胶法制备了CeO2纳米薄膜，此方法存在以下问题：1、需要对CeO2纳米薄膜进行500℃高温处理，对基体的要求较高；2、制得的薄膜在高温处理下容易产生裂痕，且透明度下降；3、工艺复杂，操作繁琐。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种抗紫外线的CeO2纳米薄膜的制备方法，该方法可直接得到CeO2纳米薄膜，该膜均匀透明，不需要对膜进行高温处理，防止膜裂，所需原料少，工艺简单，对基体的要求较低，制膜成本低，抗紫外线性能好。
本发明的技术解决方案是：
一种抗紫外线纳米薄膜的制备方法，其特殊之处是：将Ce(NO3)3·6H2O固体溶于去离子水中，配成0.002-0.014mol/L的Ce(NO3)3·6H2O溶液，继续加入H2O2与CO(NH2)2，以物质的量比计，Ce(NO3)3·6H2O：H2O2 ：CO(NH2)2=1：0.5-2：2-3，搅拌使其溶解，得到前躯体溶液；将前驱体溶液投入高压釜中，将干净的基片放入高压釜中，所述的基片为玻璃片或石英片，加热到110-200℃，反应2-11h，冷却到室温后，取出基片，用超声清洗基片上的粉体，然后烘干，在基片上形成抗紫外线的CeO2纳米薄膜。
上述的反应温度为150-200℃。
上述的反应时间为2-5h。
本发明可直接得到均匀透明的CeO2纳米薄膜，所需原料少，工艺简单，易于操作；不需要对制备的薄膜进行高温处理，可防止膜裂，对基体的要求较低，用本发明制得的薄膜的紫外线透过率为3-12%，且将红外光上转换为671-675nm的可见光，可提高硅太阳能电池效率。
附图说明
图1为实施例1中抗紫外线的CeO2纳米薄膜的荧光光谱图；
图2为实施例5中抗紫外线的CeO2纳米薄膜的荧光光谱图。
具体实施方式
实施例1
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