[发明专利]制造电子器件的方法有效
| 申请号： | 201110128547.6 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102254923A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 渡边杏平 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 电子器件 方法 | ||
1.一种制造电子器件的方法，包括：
形成材料层；
在材料层上形成防光晕层；
在防光晕层上形成抗蚀剂层；
通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化，来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案；
通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形，来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层；以及
对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理，以去除掩模层和防光晕层，并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列，
其中，防光晕层减少曝光步骤中的光晕。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在等离子体处理中使用含有CF4和C4F8的处理气体。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在等离子体处理中使用磁控RIE系统。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过设置在100sccm至200sccm的范围中的处理气体的流率、在3W/cm2至5W/cm2的范围中的磁控RIE系统的射频功率、以及在20mTorr至50mTorr的范围中的磁控RIE系统的腔室中的压力，执行等离子体处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，防光晕层对于曝光步骤中使用的曝光光具有不大于60％的透射率。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在使微透镜的底部面积大于凸形部分的底部面积的这种条件下执行等离子体处理。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，电子器件包括固态图像传感器，所述固态图像传感器包括光电转换单元。
8.一种制造电子器件的方法，包括：
形成材料层；
在材料层上形成防光晕层；
在防光晕层上形成抗蚀剂层；
通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化，来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案；
通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形，来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层；以及
对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理，以去除掩模层和防光晕层，并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列，
其中，对于曝光步骤中的曝光光，防光晕层具有比材料层的光谱透射率低的光谱透射率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
