[发明专利]制造电子器件的方法有效
申请号: | 201110128547.6 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN102254923A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 渡边杏平 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 电子器件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及制造电子器件的方法,更特别地,涉及制造具有微透镜的电子器件的方法。
背景技术
诸如固态图像传感器或者液晶显示器件的电子器件可以包括用于集光的微透镜。在日本专利公开No.10-148704中公开的微透镜形成方法中,在材料层上形成具有微透镜阵列的三维形状的掩模层,并且,对掩模层和材料层进行蚀刻以在材料层中形成微透镜阵列。
当通过日本专利公开No.10-148704中描述的方法来形成微透镜时,通过掩模层的三维形状来确定微透镜的形状。由于此原因,当三维形状改变时,微透镜形状改变。掩模层的三维形状可由于进入要用来形成掩模层的抗蚀剂层并被抗蚀剂层之下的层(例如,滤色器层、布线层或者下层(underlying)基板)反射的光的光晕(halation)而在形成掩模层的曝光步骤中改变。微透镜形状的变化不期望地影响固态图像传感器的电光特性(例如,颜色不均匀性、灵敏度和f数比例性(f-numberproportion))。尤其在诸如3-CCD或3-CMOS型固态图像传感器的3-芯片固态图像传感器中,掩模层的三维形状在通过光刻来形成它时容易改变。这是因为3-芯片固态图像传感器不包含滤色器,并且,在曝光步骤中已通过掩模层的光不被滤色器吸收。因此,使微透镜形状稳定的技术对于3-芯片固态图像传感器尤其重要。3-芯片固态图像传感器是这样的器件,该器件包括每一个具有多个光电转换单元以感测被诸如棱镜的光学元件分离的光的三个芯片,并且该器件基于由所述三个芯片感测的光来获得一个图像。
另外,随着固态图像传感器的像素尺寸变小,微透镜形状的变化更大地影响光学特性。这是因为,当光接收单元的面积随着固态图像传感器的像素尺寸减小而减小时,由于微透镜形状的变化而导致的集光效率的变化容易影响光学特性。因此,使微透镜形状稳定的技术对于固态图像传感器的像素尺寸减小也是重要的。在液晶显示器件中,随着像素尺寸变小,微透镜形状的变化也大大地影响光学特性。
发明内容
本发明提供一种在减小微透镜形状的变化方面有利的制造方法。
本发明的第一方面提供一种制造电子器件的方法,包括:形成材料层;在材料层上形成防光晕层(anti-halation layer);在防光晕层上形成抗蚀剂层;通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化,来形成包括多个岛状图案(island pattern)的抗蚀剂图案;通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的(curved)凸形,来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层;以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理,以去除掩模层和防光晕层,并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列,其中,防光晕层减少曝光步骤中的光晕。
本发明的第二方面提供一种制造电子器件的方法,包括:形成材料层;在材料层上形成防光晕层;在防光晕层上形成抗蚀剂层;通过曝光步骤和显影步骤使抗蚀剂层图案化,来形成包括多个岛状图案的抗蚀剂图案;通过对抗蚀剂图案进行退火以将岛状图案的形状改变为弯曲的凸形,来形成具有多个弯曲的凸形部分的掩模层;以及对掩模层、防光晕层和材料层进行等离子体处理,以去除掩模层和防光晕层,并将材料层改变为包括多个微透镜的微透镜阵列,其中,对于曝光步骤中的曝光光(exposure light),防光晕层具有比材料层的光谱透射率低的光谱透射率。
根据参照附图对示例性实施例的以下描述,本发明的进一步的特征将变得明显。
附图说明
图1A至1E是用于解释根据本发明第一实施例的微透镜或固态图像传感器的制造方法的截面图;
图2A和2B是用于解释根据本发明第二实施例的微透镜或固态图像传感器的制造方法的平面图;以及
图3是示出微透镜的面积和掩模层的凸形部分的面积之间的关系的截面图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的