[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括沿水平方向设置的基底、以及沿竖直方向由下而上依次叠设在基底上的第一型半导体层、发光层及第二型半导体层，该发光层局部覆盖第一型半导体层，该第一型半导体层未被发光层覆盖的区域设置有第一电极，其特征在于：

该第一型半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，该第一掺杂区位于第一电极下方，该第二掺杂区、第三掺杂区沿远离第一电极的水平方向依次排列，该第二掺杂区与第一掺杂区相邻设置，该第三掺杂区与第二掺杂区相邻设置、且该第二掺杂区将第一掺杂区与第三掺杂区隔离开，该第一掺杂区的掺杂浓度低于第二掺杂区，且第二掺杂区的掺杂浓度低于第三掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该第一型半导体层未被发光层覆盖的区域为第一掺杂区。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，该第一型半导体层为N型半导体层，该第二型半导体层为P型半导体层。

4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，该N型半导体层为N型氮化镓层，该P型半导体层为P型氮化镓层。

5.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，该发光层与P型氮化镓层之间设置有P型氮化镓铝层。

6.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，该第一型半导体层各掺杂区的掺杂材料为硅。

7.一种半导体发光元件，其包括沿水平方向设置的基底、以及沿竖直方向由下而上依次叠设在基底上的第一型半导体层、发光层及第二型半导体层，该发光层局部覆盖第一型半导体层，该第一型半导体层未被发光层覆盖的区域设置有第一电极，其特征在于：

该第一型半导体层包括多个沿远离第一电极的水平方向依次排列的掺杂区，且该多个掺杂区中距离第一电极越近的掺杂区掺杂浓度越低。

8.如权利要求1或7所述的半导体发光元件，其特征在于，该第一电极包括两个接触垫以及连接该两个接触垫的条形连接臂。

9.如权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件还包括设置在第二型半导体层上的第二电极，该第二电极包括两个接触垫、一个条形连接臂以及三个条形延伸臂，该第二电极的条形连接臂连接第二电极的两个接触垫，该三个条形延伸臂分别由第二电极的两个接触垫和一个条形连接臂延伸出来。

10.如权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，第二电极的条形连接臂平行与第一电极的条形连接臂，第二电极的三个条形延伸臂相互平行并垂直与第一、第二电极的条形连接臂。