[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，尤其是一种发光二极管元件。

背景技术

采用半导体材料制作的发光二极管(LED，Light Emitting Diode)以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

参见图1，发光二极管20通常包括绝缘基底21、N型半导体层22、活性层23、P型半导体层24、N电极25和P电极26。所述N型半导体层22形成在绝缘基底21上，所述活性层23形成在N型半导体层22上，所述P型半导体层24形成在活性层23上。所述N型半导体层22具有一未被活性层23和P型半导体层24覆盖的暴露部分，所述N电极25为一N接触垫(N-contact Pad)且设置在所述暴露部分上。所述P电极26为一P接触垫(P-contact Pad)，其设置在P型半导体层24上且在水平方向上相对远离N电极25。

根据电流优先走最短路径的特性，当向发光二极管20施加电压时，N电极25与P电极26之间产生的电流(图1箭头所示)容易集中在水平方向上距离N电极25相对较近的N型半导体区域部分，进而向上通过活性层23、P型半导体层24抵达P电极26。从而使得相对靠近N电极25的活性层区域有较大电流经过，而相对远离N电极25的活性层区域没有被充分利用，导致整个发光二极管20的电流密度分布不均、发光效率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提供一种电流密度分布均匀、发光效率佳的半导体发光元件。

一种半导体发光元件，其包括沿水平方向设置的基底、以及沿竖直方向由下而上依次叠设在基底上的第一型半导体层、发光层及第二型半导体层，该发光层局部覆盖第一型半导体层，该第一型半导体层未被发光层覆盖的区域设置有第一电极，该第一型半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，该第一掺杂区位于第一电极下方，该第二掺杂区、第三掺杂区沿远离第一电极的水平方向依次排列，该第二掺杂区与第一掺杂区相邻设置，该第三掺杂区与第二掺杂区相邻设置、且该第二掺杂区将第一掺杂区与第三掺杂区隔离开，该第一掺杂区的掺杂浓度低于第二掺杂区，且第二掺杂区的掺杂浓度低于第三掺杂区。

所述半导体发光元件的半导体层具有多个不同掺杂浓度的掺杂区域，并且，该多个掺杂区域中距离电极越远的掺杂区域掺杂浓度越高，以使距离电极越远的掺杂区域电阻越小，从而平衡从电极经由各掺杂区域到达发光层的各电流路径的电阻值大小，进而达到平均电流分布、提高发光效率的效果。

附图说明

图1为传统的半导体发光元件结构示意图。

图2为本发明实施例提供的半导体发光元件结构示意图。

图3为图2所示的半导体发光元件的俯视图。

主要元件符号说明