[发明专利]镀的端头及利用电解镀形成其的方法

权利要求书

1.一种形成用于电子元件的电解镀结构的方法，所述方法包括下列步骤：

提供多个电子元件，每个电子元件包括多个绝缘衬底层，所述多个绝缘衬底层与多个内部导电部件选择性地交替插入，其中该内部导电部件的选定部分暴露在沿所述电子元件的周围的选定位置处；

提供酸性预清洁溶液；

将所述多个电子元件完全浸在所述酸性预清洁溶液中预定时间量，以去除形成在所述电子部件上的任何氧化物累积；

提供具有电偏置的电解镀溶液；以及

将所述多个电子元件完全浸在所述电解镀溶液中预定时间量，使得镀材料沉积在所述多个电子元件的所述暴露的内部导电部件的选定者上，并且通过控制暴露的内部导电部件的选定者之间镀材料的桥接而发展出各端头结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述预定时间量确定为对应于累积镀材料至大于约1微米的厚度所需要的时间。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述多个电子元件完全浸在所述电解镀溶液中预定时间量，从而实现具有在约2和约20微米之间的各厚度的桥接端头结构。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述电解镀溶液包括镍或铜电解液。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述电解镀溶液包括氨基磺酸镍电解液。

6.如权利要求1所述的方法，其中沉积在所述多个电子元件的暴露的内部导电部件的选定者上以形成各端头结构的所述镀材料包括镍，且还包括在所述镍端头结构之上镀至少一个薄膜金属附加层的步骤。

7.如权利要求6所述的方法，其中在所述镍端头结构之上的至少一个薄膜金属附加层包括锡和金之一。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述电解镀溶液包括铜酸电解液。

9.如权利要求1所述的方法，其中沉积在所述多个电子元件的暴露的内部导电部件的选定者上以形成各端头结构的所述镀材料包括铜，且还包括在所述铜端头结构之上镀至少一个薄膜金属附加层的步骤。

10.如权利要求9所述的方法，其中在所述铜端头结构之上的至少一个薄膜金属附加层包括镍的第一部分以及锡和金之一的第二部分。

11.如权利要求1所述的方法，还包括在将所述电子元件完全浸在所述电解镀溶液中之前清洁所述多个电子元件的选定表面的步骤。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述多个电子元件的所述内部导电部件包括镍，且其中所述清洁步骤对应于基本去除所述内部导电部件的暴露部分上镍氧化物的任何累积。

13.如权利要求1所述的方法，还包括加热所述多个电子元件的步骤，从而加强所述各桥接端头结构到所述电子元件的附着。

14.一种形成电解镀结构的方法，所述方法包括：

提供多个层，每个层通过边缘被横向限定；

提供多个内部电极，选择性交替插入在所述多个层之间，其中所述多个内部电极的选定部分延伸到所述多个层的至少一个边缘且以各组沿该至少一个边缘暴露，所述内部电极和层的交替插入的结合形成特征在于各最顶和最底表面的单片组件；

将所述单片组件暴露至酸性清洁溶液以去除任何氧化物累积；以及

电解沉积至少一个薄膜镀材料部分，其沿着所述多层元件的周围且连接每个各组内所述多个电极的暴露部分，其中所述薄膜镀材料由至少一种金属形成，且其中每个各组内所述多个内部电极的相邻暴露部分之间的距离不大于约10微米。

15.如权利要求14所述的方法，还包括提供多个内部锚接片的步骤，所述多个内部锚接片选择性地交替插入在所述多个层之间并延伸至所述各组中所述多个层的至少一个边缘且沿该至少一个边缘暴露，且其中每个各组内所述多个内部电极和所述多个内部锚接片的相邻暴露部分之间的距离不大于约10微米。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述多个层包括多层电子元件的各多个电介质层。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个薄膜镀材料部分包括镍或铜之一。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个薄膜镀材料部分包括钯、锡、金、银、或锡-铅合金或其它合金铜之一。