[发明专利]非导电性载体形成电路结构的制造方法

权利要求书

1.一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：包含下列步骤：

提供一非导电性载体；

分散一催化剂于所述非导电性载体上或所述非导电性载体内；

形成一预定线路结构于所述非导电性载体上，并使所述催化剂裸露于所述预定线路结构的表面；以及

金属化所述预定线路结构，以形成一导电线路。

2.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：利用一喷砂加工、一激光照射或一化学蚀刻，使所述预定线路结构形成在所述非导电性载体上，以裸露所述催化剂于所述预定线路结构上。

3.根据权利要求2所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述激光的波长范围为248纳米至10600纳米之间的任一波长。

4.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：其还包括设置一绝缘层于含有所述催化剂的所述非导电性载体上，以形成一复合体。

5.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述催化剂分散在所述非导电性载体上的步骤为藉由含有所述催化剂的一薄膜设置于所述非导电性载体的表面所达成。

6.根据权利要求5所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：其还包括于形成所述导电线路后，移除残留的所述薄膜的步骤。

7.根据权利要求5所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述薄膜包含油墨、涂料、有机高分子或其组合。

8.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：其还包括将所述催化剂覆盖于一无机填充料表面的步骤，以增加所述催化剂的比表面积；所述无机填充料包含硅酸、硅酸衍生物、碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、纳米碳管、石墨、沸石、黏土矿物、陶瓷粉末、甲壳素或其组合。

9.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述催化剂包括一金属元素、或所述金属元素的一金属氧化物、一金属氢氧化物、一金属水合氧化物、一复合金属氧化物水合物或其组合。

10.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属元素包括钛、锑、银、钯、铁、镍、铜、钒、钴、锌、铂、金、铟、铱、锇、铑、铼、钌、锡或其组合。

11.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属氧化物包括氧化银、氧化钯或其组合。

12.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属氢氧化物包括氢氧化银、氢氧化铜、氢氧化钯、氢氧化镍、氢氧化金、氢氧化铂、氢氧化铟、氢氧化铼、氢氧化铑或其组合。

13.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述金属水合氧化物包括水合氧化铂、水合氧化银、水合氧化铜、水合氧化钯、水合氧化镍、水合氧化金、水合氧化铟、水合氧化铼、水合氧化铑或其组合。

14.根据权利要求9所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述复合金属氧化物水合物包括下列分子式：

M¹_XM²O_m.n(H₂O)

其中，M¹为钯或银，M²为硅、钛或锆，当M¹为钯时x为1，当M¹为银时x为2，m及n为介于1至20的间的整数。

15.根据权利要求1所述的非导电性载体形成电路结构的制造方法，其特征在于：所述非导电性载体的材料为一高分子塑料，所述高分子塑料包括一热塑性塑料或一热固性塑料。