[发明专利]非导电性载体形成电路结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种制造方法，特别是涉及一种非导电性载体形成电路结构的制造方法。

背景技术

基于大众对于3C产品的便利性及可携带性的讲究，驱使电子产品朝向微小化、轻量化及多功能化的趋势发展。因而使得电路设计与制作方式亦迈向质量轻、体积小及厚度薄的方向发展。

目前已知用在制作电路的方法中普遍可分为电镀及化学镀两种。其中，相较于电镀，化学镀又称为无电镀(Electroless plating)或自身催化电镀(autocatalytic plating)，其是指水溶液中的金属离子在被控制的环境下，予以化学还原，而不需电力镀在基材上。化学镀的优点包含镀层均匀、镀层孔率少、可形成多元合金等特点。因此，在金属层厚度均匀度要求较高的电子产品，如手机、笔记型计算机等的电路组件的电路形成方式大多都采用化学镀来制作电路组件。

目前，在模塑互连组件(Moulded Interconnect Device，MID)的制造程序中，一熟知技术为将金属氧化物分散在非导电性载体内，且射出成型一基座。接续以激光照射基座的任一表面使其形成一预设电路图样，其于激光烧蚀基座表面同时裸露及活化所述表面的金属氧化物使其释放金属核(metal nuclei)。在制造过程中，为均匀分散金属氧化物至非导电性载体内，故需提供一定比例量的金属氧化物。然而，所述金属氧化物所释放的金属核仅为提供预设电路图样部表面金属化还原反应的用途，因此无受到激光活化的金属氧化物会导致成本的浪费，亦无回收再利用的可能性。

此外，其它熟知技术可能会因为部分催化剂裸露在非预定线路的表面上，而使得后续金属化时，在非预定线路的表面上亦镀覆金属，因而造成成品不良率增加。

再者，美国专利第7060421号所揭示的制造导体轨道结构(conductor track structure)方法中，其因所使用的激光功率须达到金属氧化物释放金属核的能量，故而缩短激光源的寿命。而美国专利第5945213号及第5076841号则具有于3D曲面形成微线路须配合3D遮罩(mask)，故其成本较高的问题。

发明内容

有鉴于上述已知技艺的问题，本发明的目的就是在于提供一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，除了可达到制造程序简易、降低成本及成品不良率的功效，亦有实施方式灵活的优点。

根据本发明的目的，提出以下的技术方案：

一种非导电性载体形成电路结构的制造方法，其包含下列步骤：

提供一非导电性载体；

分散一催化剂于所述非导电性载体上或所述非导电性载体内；

形成一预定线路结构于所述非导电性载体上，并使所述催化剂裸露于所述预定线路结构的表面；以及

金属化所述预定线路结构，以形成一导电线路。

利用一喷砂加工、一激光照射或一化学蚀刻，使所述预定线路结构形成在所述非导电性载体上，以裸露所述催化剂于所述预定线路结构上。所述激光的波长范围为248纳米至10600纳米之间的任一波长。

非导电性载体形成电路结构的制造方法，其还包括设置一绝缘层于含有所述催化剂的所述非导电性载体上，以形成一复合体。所述催化剂分散于所述非导电性载体上的步骤为藉由含有所述催化剂的一薄膜设置于所述非导电性载体的表面所达成。所述薄膜包含油墨、涂料、有机高分子或其组合。其还包括于形成所述导电线路后，移除残留的所述薄膜的步骤。

非导电性载体形成电路结构的制造方法，其还包括将所述催化剂覆盖于一无机填充料表面的步骤，以增加所述催化剂的比表面积；所述无机填充料包含硅酸、硅酸衍生物、碳酸、碳酸衍生物、磷酸、磷酸衍生物、活性碳、多孔碳、纳米碳管、石墨、沸石、黏土矿物、陶瓷粉末、甲壳素或其组合。

所述催化剂包括一金属元素、或所述金属元素的一金属氧化物、一金属氢氧化物、一金属水合氧化物、一复合金属氧化物水合物或其组合。

所述金属元素包括钛、锑、银、钯、铁、镍、铜、钒、钴、锌、铂、金、铟、铱、锇、铑、铼、钌、锡或其组合。

所述金属氧化物包括氧化银、氧化钯或其组合。

所述金属氢氧化物包括氢氧化银、氢氧化铜、氢氧化钯、氢氧化镍、氢氧化金、氢氧化铂、氢氧化铟、氢氧化铼、氢氧化铑或其组合。

所述金属水合氧化物包括水合氧化铂、水合氧化银、水合氧化铜、水合氧化钯、水合氧化镍、水合氧化金、水合氧化铟、水合氧化铼、水合氧化铑或其组合。

所述复合金属氧化物水合物包括下列分子式：