[发明专利]高可靠性电源钳位ESD保护电路

权利要求书

1.一种高可靠性电源钳位ESD保护电路，其特征在于，包括：依次连接的电容-电阻模块(1)、钳位晶体管开启模块(2)、以及钳位晶体管(4)，还包括：钳位晶体管关断模块(3)，分别与所述电容-电阻模块(1)和钳位晶体管(4)连接；

所述电容-电阻模块(1)，用于识别所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd的脉冲是否为静电放电脉冲，若是，则发送第一响应信号至所述钳位晶体管开启模块(2)，在经过所述电容-电阻模块(1)的时间常数后，发送第二响应信号至所述钳位晶体管关断模块(3)；

所述钳位晶体管开启模块(2)，用于根据所述第一响应信号启动所述钳位晶体管(4)；

所述钳位晶体管关断模块(3)，用于根据所述第二响应信号关断所述钳位晶体管(4)；

所述钳位晶体管(4)，用于在启动时，释放所述静电放电脉冲带来的静电电荷。

2.如权利要求1所述的高可靠性电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述电容-电阻模块(1)包括：串联连接的电容C1和电阻R1，所述电容C1与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述电阻R1接地。

3.如权利要求2所述的高可靠性电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述钳位晶体管(4)为NMOS晶体管Mbig1，所述NMOS晶体管Mbig1的漏极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述NMOS晶体管Mbig1的源极接地。

4.如权利要求3所述的高可靠性电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述钳位晶体管开启模块(2)包括：PMOS晶体管Mp1-1、Mp1-2、Mp2、以及NMOS晶体管Mn1，所述PMOS晶体管Mp1-1的栅极与所述电容C1和电阻R1的交点连接，所述PMOS晶体管Mp1-1的源极与所述PMOS晶体管Mp1-2的漏极和栅极分别连接，所述PMOS晶体管Mp1-2的源极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述PMOS晶体管Mp1-1的漏极分别与所述NMOS晶体管Mn1的漏极和所述PMOS晶体管Mp2的栅极连接，所述NMOS晶体管Mn1的栅极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述NMOS晶体管Mn1的源极接地，所述PMOS晶体管Mp2的源极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述PMOS晶体管Mp2的漏极与所述NMOS晶体管Mbig1的栅极连接。

5.如权利要求4所述的高可靠性电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述钳位晶体管关断模块(3)包括：PMOS晶体管Mp3、Mp4、Mp5、NMOS晶体管Mn3、Mn2、以及电容C2、C3，所述PMOS晶体管Mp4的栅极与所述电容C1和电阻R1的交点连接，所述PMOS晶体管Mp4的源极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述PMOS晶体管Mp4的漏极与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地，所述PMOS晶体管Mp4与电容C2的交点分别与所述PMOS晶体管Mp3的栅极和所述NMOS晶体管Mn3的栅极连接，所述PMOS晶体管Mp3的漏极和所述NMOS晶体管Mn3的漏极连接，所述PMOS晶体管Mp3的源极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述NMOS晶体管Mn3的源极接地，所述PMOS晶体管Mp3的漏极和NMOS晶体管Mn3的漏极的交点与所述PMOS晶体管Mp5的栅极连接，所述PMOS晶体管Mp5的源极与所述高可靠性电源钳位ESD保护电路的电源管脚Vdd连接，所述PMOS晶体管Mp5的漏极与所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端接地，所述PMOS晶体管Mp5与电容C3的交点与所述NMOS晶体管Mn2的栅极连接，所述NMOS晶体管Mn2的源极接地，所述NMOS晶体管Mn2的漏极与所述NMOS晶体管Mbig1的栅极连接。