[发明专利]FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制造方法

权利要求书

1.一种FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依次沉积公共电极层和栅电极层，通过构图工艺形成包括公共电极、栅电极、栅线和公共电极线的图形；

沉积栅极绝缘层、有源层和源/漏金属层，通过构图工艺形成包括数据线、源/漏电极和薄膜晶体管沟道区域的图形；

沉积像素电极层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形；

沉积钝化层。

2.根据权利要求1所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成包括公共电极、栅电极、栅线和公共电极线的图形的操作包括步骤：沉积公共电极层和栅电极层，涂布光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影处理，所述光刻胶在曝光后形成未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；通过刻蚀工艺去除所述完全曝光区域对应的栅电极层和公共电极层；对所述光刻胶进行灰化操作，去除所述部分曝光区域的光刻胶和一部分未曝光区域的光刻胶，然后通过刻蚀工艺去除所述部分曝光区域相应的栅电极层，形成公共电极；最后去除所述未曝光区域中的剩余光刻胶，形成栅电极以及栅线、公共电极线。

3.根据权利要求1所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成包括数据线、源/漏电极和薄膜晶体管沟道区域的图形的操作包括步骤：沉积栅极绝缘层、有源层和源/漏金属层，并涂布光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影处理，所述光刻胶在曝光后形成未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；先通过刻蚀工艺去除完全所述曝光区域的源漏电极层和有源层；对所述光刻胶进行灰化操作以去除所述部分曝光区域的光刻胶和一部分未曝光区域的光刻胶，再通过刻蚀工艺去除所述部分曝光区域的源漏电极层和部分有源层，形成薄膜晶体管沟道区域；最后去除所述未曝光区域剩余的光刻胶，形成源电极和漏电极。

4.根据权利要求1所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述公共电极、公共电极线、栅电极和栅线形成在所述的基板上，所述公共电极与所述公共电极线相连接，栅电极与所述栅线相连接。

5.根据权利要求1所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极部分位于所述源/漏电极的上方与所述源/漏电极的漏电极相连接，另一部分形成在所述栅极绝缘层上。

6.根据权利要求1所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层包括半导体层和掺杂半导体层。

7.一种FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括：

基板、公共电极、公共电极线、栅电极、栅线、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极、薄膜晶体管沟道区域、像素电极和钝化层，其特征在于，

所述公共电极、公共电极线、栅电极和栅线形成在所述的基板上，所述公共电极与所述公共电极线相连接，栅电极与所述栅线相连接；

所述栅极绝缘层形成在所述基板上，并覆盖所述公共电极和栅电极；

所述有源层形成在所述栅极绝缘层上，所述源/漏电极形成在所述有源层上；

所述像素电极部分位于所述源/漏电极的上方与所述源/漏电极的漏电极相连接，另一部分形成在所述栅极绝缘层上。

8.根据权利要求7所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述钝化层覆盖所述像素电极、源/漏电极以及栅极绝缘层。

9.根据权利要求7所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述像素电极和公共电极的图形交错排列。

10.根据权利要求7所述的FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述有源层包括半导体层和掺杂半导体层。