[发明专利]FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种FF S型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制造方法。 

背景技术

目前在市场上有多种类型的液晶显示器，每种类型的液晶显示器的驱动方式和显示效果也各不相同。其中，据相关测试数据显示，FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)型薄膜晶体管液晶显示器的对比度可以达到350∶1，视角为170度以上，开口率为53％以上，并且无色差，由此可见，FFS薄膜晶体管液晶显示器是一种具有优秀显示能力和显示效果的液晶显示器。 

但是FFS型薄膜晶体管液晶显示器的结构比较复杂，工艺步骤较多，实现较为困难。如图1所示，现有技术提供了一种FFS型薄膜晶体管液晶显示器像素结构及制造方法，制造时采用五次构图工艺来形成阵列基板，其工艺过程具体为：在基板206上沉积像素电极层，通过第一次构图工艺形成像素电极201；沉积栅电极层，通过第二次构图工艺形成栅电极204和栅线：连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源/漏金属层，并通过第三次构图工艺形成数据线、源/漏电极和薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)沟道图形；沉积钝化层203，并通过第四次构图工艺在钝化层203上形成过孔；沉积公共电极层，通过第五次构图工艺形成公共电极202和公共电极线205，最终形成图1所示的像素结构。 

由于每次构图工艺都需要把掩模板的图形转移到薄膜图形上，并且每一层薄膜图形都需要精确地罩在另一层薄膜图形上，因此，上述技术方案五次掩模板的使用，不仅过程复杂，延长了生产时间，降低 了生产效率，还大大增加了生产成本。 

发明内容

本发明的实施例所要解决的技术问题在于提供一种FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制造方法，采用三次构图工艺实现薄膜晶体管阵列基板的制造，从而缩短了生产时间，提高了生产效率以及工艺的可控性与可靠性，大大降低了生产成本。 

为解决上述技术问题，本发明的实施例采用如下技术方案： 

一种FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，包括： 

在基板上依次沉积公共电极层和栅电极层，通过构图工艺形成包括公共电极、栅电极、栅线和公共电极线的图形； 

沉积栅极绝缘层、有源层和源/漏金属层，通过构图工艺形成包括数据线、源/漏电极和薄膜晶体管沟道区域的图形； 

沉积像素电极层，通过构图工艺形成包括像素电极的图形； 

沉积钝化层。 

所述通过构图工艺形成包括公共电极、栅电极、栅线和公共电极线的图形的操作包括步骤：沉积公共电极层和栅电极层，涂布光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影处理，所述光刻胶在曝光后形成未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；通过刻蚀工艺去除所述完全曝光区域对应的栅电极层和公共电极层；对所述光刻胶进行灰化操作，去除所述部分曝光区域的光刻胶和一部分未曝光区域的光刻胶，然后通过刻蚀工艺去除所述部分曝光区域相应的栅电极层，形成公共电极；最后去除所述未曝光区域中的剩余光刻胶，形成栅电极以及栅线、公共电极线。 

所述通过构图工艺形成包括数据线、源/漏电极和薄膜晶体管沟道区域的图形的操作包括步骤：沉积栅极绝缘层、有源层和源/漏金属层，并涂布光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影处理，所述光刻胶在曝光后形成未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；先通过刻蚀工艺去 除所述完全曝光区域的源漏电极层和有源层；对光所述刻胶进行灰化操作以去除所述部分曝光区域的光刻胶和一部分未曝光区域的光刻胶，再通过刻蚀工艺去除所述部分曝光区域的源漏电极层和部分有源层，形成薄膜晶体管沟道区域；最后去除所述未曝光区域剩余的光刻胶，形成源电极和漏电极。 

所述像素电极和公共电极的图形交错排列。 

所述公共电极、公共电极线、栅电极和栅线形成在所述的基板上，所述公共电极与所述公共电极线相连接，栅电极与所述栅线相连接。 

所述像素电极部分位于所述源/漏电极的上方与所述源/漏电极的漏电极相连接，另一部分形成在所述栅极绝缘层上。 

所述有源层包括半导体层和掺杂半导体层。 

一种FFS型薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，包括： 

基板、公共电极、公共电极线、栅电极、栅线、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极、薄膜晶体管沟道区域、像素电极和钝化层， 

所述公共电极、公共电极线、栅电极和栅线形成在所述的基板上，所述公共电极与所述公共电极线相连接，栅电极与所述栅线相连接；