[发明专利]有机存储器件、阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 201110131034.0 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102790173A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明;刘欣;姬濯宇;商立伟;谢常青;李冬梅;韩买兴;陈映平;王宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 存储 器件 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机存储器件，其特征在于，包括：
衬底；
衬底上的下电极；
下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；
第二有机薄膜上的上电极。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述岛状金属颗粒的厚度为1-10nm。
3.根据权利要求1或2所述的存储器件，其特征在于，所述第一有机薄膜或第二有机薄膜从包括以下材料的组中选择形成：TiOPc、Alq3、AIDCN、pentacene或polyfluorene。
4.根据权利要求1或2所述的存储器件，其特征在于，所述金属薄膜从包括以下材料的组中选择形成：Au、Al、Cr、Cu、Mg或Ag。
5.一种有机存储器件的存储阵列，包括M*N个如权利要求1-4中任一项所述的有机存储器件，其中，每M个所述有机存储器件排成一行，每N个所述有机存储器件排成一列，第n行所述有机存储器件的下电极首尾相连，第m列所述有机存储器件的上电极首尾相连，其中，M，N＞0，1≤m≤M，1≤n≤N。
6.一种有机存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成下电极；
在所述下电极上自下之上依次形成第一有机薄膜、不连续的金属薄膜以及第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；
在所述第二有机薄膜上形成上电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，利用镂空的掩膜板在所述第二有机薄膜上形成上电极。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述岛状金属颗粒的厚度为1-10nm。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第一有机薄膜或第二有机薄膜从包括以下材料的组中选择形成：TiOPc、Alq3、AIDCN、pentacene或polyfluorene。
10.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜从包括以下材料的组中选择形成：Au、Al、Cr、Cu、Mg或Ag。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
