[发明专利]有机存储器件、阵列及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储器件及制造技术，更具体地说，涉及一种有机存储器件、阵列及其制造方法。

背景技术

随着信息技术的飞速发展，电子产品已经和人们生活工作的每个环节息息相关，不同电子产品对集成电路提出了不同的要求，因此，对集成电路中的核心单元，存储器器件的研究也日益多元化。

传统的半导体存储器件是通过无机的半导体材料形成的，但制造成本相对较高。近年来，对有机材料如有机晶体管和有机存储器等器件进行积极的研究开发，使用有机材料的器件具有成本低、柔性好以及重量轻等优点而被看好。

通常地，有机存储器件包括下电极、下电极上的有机材料和有机材料上的上电极，利用有机材料的转变特性来进行数据的存储。

然而，问题在于，有机材料的转变特性不明显，只是通过有机材料的特性并不能完全满足存储器的性能，有时还会限制有机存储器的的性能，例如速度不够快、存储时间不够长等等。

发明内容

本发明实施例提供一种有机存储器件、阵列及其制造方法，提高了有机材料的转变特性，从而提高有机存储器件的性能。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种有机存储器件，包括：

衬底；

衬底上的下电极；

下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；

第二有机薄膜上的上电极。

可选地，所述岛状金属颗粒的厚度为1-10nm。

可选地，所述第一有机薄膜或第二有机薄膜从包括以下材料的组中选择形成：TiOPc、Alq3、AIDCN、pentacene或polyfluorene。

可选地，所述金属薄膜从包括以下材料的组中选择形成：Au、Al、Cr、Cu、Mg或Ag。

此外，本发明还提供了由上述有机存储器件组成的存储阵列，包括M*N个上述的任一有机存储器件，其中，每M个所述有机存储器件排成一行，每N个所述有机存储器件排成一列，第n行所述有机存储器件的下电极首尾相连，第m列所述有机存储器件的上电极首尾相连，其中，M，N＞0，1≤m≤M，1≤n≤N。

此外，本发明还提供了形成上述有机存储器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成下电极；

在所述下电极上自下之上依次形成第一有机薄膜、不连续的金属薄膜以及第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；

在所述第二有机薄膜上形成上电极。

可选地，利用镂空的掩膜板在所述第二有机薄膜上形成上电极。

可选地，所述岛状金属颗粒的厚度为1-10nm。

可选地，所述第一有机薄膜或第二有机薄膜从包括以下材料的组中选择形成：TiOPc、Alq3、AIDCN、pentacene或polyfluorene。

可选地，根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜从包括以下材料的组中选择形成：Au、Al、Cr、Cu、Mg或Ag。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例的有机存储器件、阵列及其制造方法，通过在下电极上依次形成第一有机薄膜、不连续的金属薄膜以及第二有机薄膜，在两层有机薄膜中间形成了不连续的金属薄膜，由于该金属薄膜由岛状金属颗粒形成，通过这些岛状金属颗粒来增强有机薄膜的电荷捕获能力，从而使不具备转变特性或转变特性不好的有机材料具有好的转变特性，从而提高存储器件的存储及数据保持功能。

附图说明

通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为本发明实施例的有机存储器件的结构示意图；

图2为为根据本发明实施例的有机存储器件的阵列的示意图；

图3为根据本发明的有机存储器件的制造方法流程图；

图4-图12为根据本发明实施例的有机存储器件各个制造阶段的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。