[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底具有有源区，在衬底上方形成有第一层间电介质层，所述第一层间电介质层具有穿过所述第一层间电介质层的第一开口，以使有源区的部分表面露出；

以填充材料填充所述第一开口，所述填充材料能够被相对于所述第一层间电介质层的材料选择性地去除；

在第一层间电介质层上方形成第二层间电介质层，所述第二层间电介质层具有穿过所述第二层间电介质的第二开口，以使得基本露出相应的所述第一开口中的所述填充材料的上端部分；

去除所述填充材料；以及

以导电材料填充所述第一开口和所述第二开口，以形成接触件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底还包括在所述有源区上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极，

其中，所述栅极的上表面与所述第一层间电介质层的上表面基本上齐平。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括在所述栅极下的栅极电介质层以及在所述栅极两侧的间隔件，

其中，所述栅极为金属栅极或多晶硅栅极。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述有源区的露出的表面位于半导体器件中的源区和/或漏区上。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述以填充材料填充所述第一开口的步骤包括：

将填充材料施加到所述衬底，以填充所述第一开口；

对填充材料进行去除，以使得仅所述第一开口中的填充材料得以保留。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述填充材料是下列中的一种：无定形碳、光敏材料。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光敏材料是下列中的一种：抗蚀剂、聚丙烯。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述去除所述填充材料的步骤包括：

进行含氧的干法蚀刻或灰化，从而去除所述填充材料。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，至少一个所述第二开口被形成为使得基本露出所述第一开口中的填充材料的上端部分和一个或更多个所述栅极的至少部分上表面。

10.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二开口的横向尺寸大于或等于所述第一开口的横向尺寸。

11.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一层间电介质层与所述第二层间电介质层相同或不同。

12.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底具有有源区；

在有源区上方的第一层间电介质层，所述第一层间电介质层中具有穿过所述第一层间电介质层的第一开口，所述第一开口使有源区的部分表面被露出，

填充在所述第一开口中的填充材料，所述填充材料能够被相对于所述第一层间电介质层的材料选择性地去除；以及

第二层间电介质层，其覆盖所述第一层间电介质层和填充有所述填充材料的所述第一开口。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底还包括在所述有源区上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极，

其中，所述栅极的上表面与所述第一层间电介质层的上表面基本上齐平。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构包括在所述栅极下的栅极电介质层以及在所述栅极两侧的间隔件，

其中，所述栅极为金属栅极或多晶硅栅极。

15.如权利要求12或13所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区的露出的表面位于半导体器件中的源区和/或漏区上。

16.如权利要求12或13所述的半导体器件，其特征在于，所述填充材料是无定形碳或光敏材料。

17.如权利要求12或13所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二层间电介质层具有穿过所述第二层间电介质的第二开口，以使得基本露出所述第一开口中的填充材料的上端部分。

18.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二层间电介质层具有穿过所述第二层间电介质的第二开口，以使得基本露出所述第一开口中的填充材料的上端部分和一个或更多个所述栅极的至少部分上表面。