[发明专利]一种光电子器件的封装方法无效
申请号: | 201110132590.X | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102299120A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 于军胜;陈珉;钟建;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L51/00;C08G18/67;C08F283/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电子 器件 封装 方法 | ||
1.一种光电子器件的封装方法,是对光电子器件采用薄膜封装方法进行封装,薄膜封装层包覆光电子器件,其特征在于,薄膜封装层由无机薄膜封装材料薄层和紫外光固化树脂薄层以周期数n交替重叠组成,其中,1≤n≤20,所述紫外光固化树脂包括以下质量百分比的组份:
2.根据权利要求1所述的光电子器件的封装方法,其特征在于,所述无机薄膜封装材料为金属氧化物或金属硫化物或金属氮化物,金属氧化物包括氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍、五氧化二锑,金属硫化物包括二硫化钛、硫化铁、三硫化二铬、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈、二硫化锆,金属氮化物包括氮化硅、氮化铝。
3.根据权利要求1~2任一所述光电子器件的封装方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
①制备光电子器件;
②在所制备的光电子器件上制备无机封装材料薄层;
③在无机封装材料薄层上制备紫外光固化树脂薄层,所述紫外光固化树脂包括以下质量百分比的组份:
④对刚性基板表面进行紫外光固化处理30秒;
⑤对紫外光固化后的器件,继续重复步骤②、③和④的操作,连续重复n-1次,1≤n≤20;
⑥测试封装后器件的寿命以及其他各项参数。
4.根据权利要求3所述的光电子器件的封装方法,其特征在于,所述无机封装材料和紫外光固化树脂的封装薄层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、喷墨打印、电镀、喷涂、旋涂、浸涂、辊涂和LB膜中的一种或者几种方式而形成。
5.根据权利要求1所述的光电子器件的封装方法,其特征在于,所述光电子器件是一种光电之间、电电之间和电光之间能进行信号和能量转换的器件,包括有机电致发光二极管、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机薄膜晶体管、光探测器。
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