[发明专利]一种光电子器件的封装方法无效

专利信息
申请号: 201110132590.X 申请日: 2011-05-20
公开(公告)号: CN102299120A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 于军胜;陈珉;钟建;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L51/00;C08G18/67;C08F283/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 光电子 器件 封装 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及光电子技术领域,具体涉及一种光电子器件的封装方法。

背景技术

光电子技术是继微电子技术之后迅速发展的科技含量很高的产业。随着光电子技术的快速发展,发光二极管、有机发光二极管、太阳能电池、薄膜晶体管等光电子产品都逐渐发展成熟,它们大大改善了人们的生活。同时,光电子信息技术在社会生活各个领域的广泛应用,也创造了日益增长的巨大市场,光电子信息领域的竞争正在世界范围展开。

目前的光电子器件,包括有机电致发光器件、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机薄膜晶体管、紫外光探测器、红外光探测器等,特别是有机光电子器件的快速发展,适合全球社会低碳环保,绿色生活的最具发展潜力和应用市场的光电子器件,其组成部分大都是采用有机材料制备在刚性(如玻璃或硅片)或柔性基板上。它们虽然具有优良的器件性能,但是由于器件对外界环境具有很强的敏感性,尤其是在有机光电子器件中,大气环境中的水和氧等成分会对材料产生严重的负面作用。从而未封装的器件在大气环境中放置后会使得器件性能逐渐降低,甚至完全失去性能。氧气使有机材料产生氧化而会生成羰基化合物,此化合物是严重的淬灭剂,另外,材料变质就会形成黑斑,并伴随器件性能下降。水汽的影响更显而易见,它的主要破坏方式是导电电极对有机层化合物的水解作用,使稳定性大大下降。为此,要使器件在长期工作过程中的退化与失效得到抑制,稳定工作达到足够的寿命,必须对器件进行封装,而采用何种封装材料以及何种封装方法也就成了解决问题的另一个突破点。

本发明采用薄膜封装技术,提出一种低成本且工艺简单的封装方法,能够大大提高器件对氧气和水汽等的阻隔作用,降低工艺难度和提高器件稳定性。通过解决上述这些问题,将会使光电子器件得到更为广泛的应用和更加快速的发展。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何提供一种光电子器件的封装方法,该封装方法解决了光电子器件对水和氧气等的敏感性问题,能够增强器件对水和氧的阻隔能力,提高了器件的稳定性和寿命。

本发明所提出的技术问题是这样解决的:提供一种光电子器件的封装方法,是对光电子器件采用薄膜封装方法进行封装,薄膜封装层包覆光电子器件,其特征在于,薄膜封装层由无机薄膜封装材料薄层和紫外光固化树脂薄层以周期数n交替重叠组成,其中1≤n≤20,所述紫外光固化树脂包括以下质量百分比的组份:

按照本发明所提供的光电子器件的封装方法,其特征在于,所述无机薄膜封装材料为金属氧化物或金属硫化物或金属氮化物,金属氧化物包括氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍、五氧化二锑,金属硫化物包括二硫化钛、硫化铁、三硫化二铬、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈、二硫化锆,金属氮化物包括氮化硅、氮化铝。

按照本发明所提供的光电子器件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

①制备光电子器件;

②在所制备的光电子器件上制备无机封装材料薄层;

③在无机封装材料薄层上制备紫外光固化树脂薄层,所述紫外光固化树脂包括以下质量百分比的组份:

④对刚性基板表面进行紫外光固化处理30秒;

⑤对紫外光固化后的器件,继续重复步骤②、③和④的操作,连续重复n-1次,1≤n≤20;

⑥测试封装后器件的寿命以及其他各项参数。

按照本发明所提供的光电子器件的封装方法,其特征在于,所述无机封装材料和紫外光固化树脂的封装薄层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、喷墨打印、电镀、喷涂、旋涂、浸涂、辊涂和LB膜中的一种或者几种方式而形成。

按照本发明所提供的光电子器件的封装方法,其特征在于,所述光电子器件是一种光电之间、电电之间和电光之间能进行信号和能量转换的器件,包括有机电致发光二极管、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机薄膜晶体管或光探测器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110132590.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top