[发明专利]半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺有效
| 申请号： | 201110134379.1 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102181895A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王锋涛;林桂贤;苏月来;李南生;罗壮 | 申请（专利权）人： | 厦门永红科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/08 | 分类号： | C25D5/08;C25D5/02;C25D7/00 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人： | 方惠春;戚东升 |
| 地址： | 361100 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 引线 框架 一次 电镀 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于：将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于：所述镀头的喷射流道是由喷射板、阳极板、基板及掩膜板依次叠加为一体其上的通孔构成，且基板和掩膜板的通孔大于喷射板和阳极板上的喷孔。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于：所述镀头的回路流道是由掩膜板通孔、基板通孔及阳极板上的回流孔及喷射板的导流槽构成，喷射时从掩膜板及基板通孔的中心进入，而倒流时从上述通孔的四周回流进入阳极板上的回流孔。
4.根据权利要求2或3所述的半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，其特征在于：所述阳极板的每个喷孔周围设有四个回流孔，且回流孔孔径大于喷孔孔径，各喷孔位于位于基板及掩膜底板通孔中心位置，而回流孔位于基板相邻四个通孔的连接部且向通孔口延伸，喷孔喷射的电镀液经引线框架电镀后余液通过掩膜底板通孔的周边回路流道倒流而收集。
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