[发明专利]半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺

说明书

技术领域

本发明公开一种半导体集成电路的引线框架一次性电镀工艺，按国际专利分类表(IPC)划分属于集成电路芯片加工制造技术领域，尤其是涉及一种半导体集成电路引线框架(例如QFN-四侧无引脚扁平封装)的电镀方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到和外部导线连接的桥梁作用，是电子信息产业中重要的基础材料。为了满足制造集成电路半导体元件的导电性能，集成电路的引线框架往往要在其表面局部点位区域进行电镀金属银或其他金属。目前，半导体集成电路引线框架(包括QFN封装)多排化是行业的一个发展趋势，尤其对于QFN封装的引线框架，其电极触点近，电镀要求高，而多排化框架产品进一步增加了电镀难度。

申请人的在先申请案CN101864586A公开一种引线框架的电镀方法，是将引线框架拼版的所有单元窗口的分为交错排列的2组，分别进行电镀银层，即将多排引线框架采用跳镀进行两次电镀工艺，这种电镀工艺解决了目前引线框架多排电镀的难题，但其具有以下不足：

1、由于同一引线框架产品需要两次电镀才能完成，生产效率低；

2、两次电镀转换过程中容易造成污染，影响到引线框架的电镀质量；

3、电镀过程需要两块掩膜板，成本较高，其中一块掩膜板的成本价就有几千元。

发明人经过进一步研究及总结经验，创作出引线框架多排产品一次电镀方法，故才有本发明的提出。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，解决了目前引线框架多排化产品的电镀难题，并且本发明可一次性电镀完成引线框架的多排分布的电镀点位区域。

为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，将引线框架的各电镀单元区正对着镀头的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。

进一步，所述镀头的喷射流道是由喷射板、阳极板、基板及掩膜板依次叠加为一体其上的通孔构成，且基板和掩膜板的通孔大于喷射板和阳极板上的喷孔。

进一步，所述镀头的回路流道是由掩膜板通孔、基板通孔及阳极板上的回流孔及喷射板的导流槽构成，喷射时从掩膜板及基板通孔的中心进入，而倒流时从上述通孔的四周回流进入阳极板上的回流孔。

进一步，所述阳极板的每个喷孔周围设有四个回流孔，且回流孔孔径大于喷孔孔径，各喷孔位于位于基板及掩膜底板通孔中心位置，而回流孔位于基板相邻四个通孔的连接部且向通孔口延伸，喷孔喷射的电镀液经引线框架电镀后余液通过掩膜底板通孔的周边回路流道倒流而收集，不影响电镀液的喷射路径。

本发明可以作为QFN封装结构的引线框架的一次性电镀操作,镀头安装于电镀机的机械臂压板下方，本发明的阳极板与电镀机的阳极电联接。使用时，电镀机控制机械臂压板向下动作，盖板覆盖于引线框架上方，此时电镀机由下而上通过本发明的喷射板、阳极板、基板及掩膜底板的对应通孔向引线框架上的多排化分布的各电镀点位进行电镀液冲击，通电进行电镀金属(银)作业；电镀余液通过各电镀点位区的四角并由电镀液回路流道倒流入喷射板上的倒流槽而流出。

本发明具有如下有益效果：

1、由于同一引线框架产品只需要一次电镀就能完成所有电镀点位区域，效率高；

2、本发明解决了两次电镀污染的问题，并且引线框架的电镀质量高、镀层均匀性好；

3、本发明电镀过程只需要一块掩膜板，节约成本。

附图说明

图1是本发明镀头示意图。

图2是本发明镀头阳板板示图。

图3是本发明镀头俯视图。

图4是图3局部放大图。

图5是本发明镀头组装图。

图6是本发明镀头分解图。

图7是本发明喷射板及阳极板组装图。

图8是本发明喷射板、阳极板及基板组装图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明：

实施例：一种半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺，将引线框架的各电镀单元区正对着镀头A的各喷孔通电进行电镀作业，镀头内包含有喷射流道及回液流道，喷射流道的喷孔对应着引线框架的电镀单元中心区，电镀余液通过回液流道进行回收，且回液流道与喷射流道组成电镀回路一次性完成引线框架多排电镀作业。