[发明专利]一种电荷泵电路和采用所述电荷泵电路的闪速存储器有效
申请号: | 201110134543.9 | 申请日: | 2011-05-23 |
公开(公告)号: | CN102290981A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 王磊;杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;G11C16/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电荷 电路 采用 存储器 | ||
1.一种电荷泵电路,其中,第一电荷泵单元、第二电荷泵单元和输出单元依次串联,第一电荷泵单元、第二电荷泵单元的输出端连接到输出单元,其特征在于,
所述第一电荷泵单元由若干第一基本单元级联而成,所述第一基本单元至少包括第一开关单元和第一输出电容,两个串联的第一开关单元之间连接有第一输出电容,所述第一输出电容为PPS电容;
所述第二电荷泵单元由若干第二基本单元级联而成,所述第二基本单元至少包括第二开关单元和第二输出电容,两个串联的第二开关单元之间连接有第二输出电容,所述第二输出电容为MOS电容;
所述输出单元用于输出第一电荷泵单元输出的电压和第二电荷泵单元输出的电压。
2.如权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述PPS电容的结构包括:
位于半导体衬底表面的第一介质层和第一导电插塞,所述第一导电插塞与第一介质层隔离;位于所述第一介质层表面的第一多晶硅层;位于所述第一多晶硅层表面的第二介质层和第二导电插塞,所述第二导电插塞与第二介质层隔离;位于所述第二介质层表面的第二多晶硅层;位于所述第二多晶硅层表面的第三导电插塞。
3.如权利要求2所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第二导电插塞构成PPS电容的一端,所述第一导电插塞和第三导电插塞电连接并构成PPS电容的另一端。
4.如权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一电荷泵单元用于将电源电压升压到第一电压。
5.如权利要求4所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一电压为用于闪速存储器数据编程的电压。
6.如权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第二电荷泵单元用于将第一电荷泵单元输出的电压升压到第二电压。
7.如权利要求6所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第二电压为用于闪速存储器数据擦除的电压。
8.如权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,还包括:第一电压控制单元和第二电压控制单元,所述第一电压控制单元根据第一电荷泵单元输出的电压对第一电荷泵单元进行控制,所述第二电压控制单元根据第二电荷泵单元输出的电压对第二电荷泵单元进行控制。
9.如权利要求8所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一电压控制单元包括第一比较单元和第一时钟控制单元,第一电荷泵单元的输出端与第一比较单元相连,第一比较单元的输出端与第一时钟控制单元相连,所述第一时钟控制单元向第一电荷泵单元输出时钟控制信号。
10.如权利要求9所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一比较单元比较第一电荷泵单元输出的电压和第一参考电压,并向第一时钟控制单元输出相应的控制信号。
11.如权利要求10所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第一参考电压为闪速存储器数据编程所需的电压。
12.如权利要求8所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第二电压控制单元包括第二比较单元和第二时钟控制单元,第二电荷泵单元的输出端与第二比较单元相连,第二比较单元的输出端与第二时钟控制单元相连,所述第二时钟控制单元向第二电荷泵单元输出时钟控制信号。
13.如权利要求12所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第二比较单元比较第二电荷泵单元输出的电压和第二参考电压,并向第二时钟控制单元输出相应的控制信号。
14.如权利要求13所述的电荷泵电路,其特征在于,所述第二参考电压为闪速存储器数据擦除所需的电压。
15.如权利要求1所述的电荷泵电路,其特征在于,所述输出单元包括对第一电荷泵单元输出电压进行整形的整形电路。
16.如权利要求15所述的电荷泵电路,其特征在于,所述整形电路具体为MOS管,所述MOS管的漏极与第一电荷泵单元的输出端相连,栅极与第二电荷泵单元的输出端相连,源极用于输出整形后的第一电荷泵单元的输出电压。
17.一种采用如权利要求1至16任意一项所述的电荷泵电路的闪速存储器。
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