[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
申请号: | 201110135245.1 | 申请日: | 2011-05-19 |
公开(公告)号: | CN102263177A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 元钟学;金鲜京;曹京佑;朴仲绪 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底;
发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层,所述发光结构设置在所述衬底上;
非金属图案,所述非金属图案设置在所述衬底和所述有源层之间,所述非金属图案与所述衬底隔开;以及
空隙,所述空隙设置在所述非金属图案的侧表面上。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中相对于所述非金属图案所述发光结构的上部区域的位错密度小于所述发光结构的下部区域的位错密度。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述非金属图案具有小于所述发光结构的导电性的导电性。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述非金属图案由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、MgF2、TiO2、ZrO2、TaBO3、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)中的至少一个形成。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中当从上侧观察时,所述非金属图案具有圆形形状、椭圆形形状或者多边形形状。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述非金属图案具有倾斜的侧表面。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述非金属图案具有其中由彼此不同的材料形成的至少两个或者更多层相互堆叠的多层结构。
8.根据权利要求7所述的发光器件,其中所述非金属图案具有其中第一层和第二层相互交替并且重复地堆叠的多层结构,所述第一层具有第一折射率,且所述第二层具有不同于所述第一折射率的第二折射率。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其中所述第一层由包含SiO2和MgF2中的至少一个的具有低折射率的材料形成,并且所述第二层由包含TiO2、Si3N4、ZrO2以及TaBO3中的至少一个的具有相对高折射率的材料形成。
10.根据权利要求8所述的发光器件,其中所述第一层和所述第二层中的每一个具有大约λ/(4nm)的厚度,其中参考符号λ表示从所述有源层发射的光的波长,参考符号n表示所述第一和第二层中的每一个的折射率,并且参考符号m表示自然数。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述非金属图案具有1μm的宽度,并且在所述非金属图案和相邻的非金属图案之间的距离是0.5μm。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述衬底包括设置在其顶表面上的图案。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述非金属图案设置在所述第一导电类型半导体层内。
14.一种发光器件封装,包括:
主体;
设置在所述主体上的至少一个引线电极;以及
电连接到所述引线电极的发光器件,所述发光器件是根据权利要求1至13中的任意一项所述的发光器件。
15.一种照明系统,包括:
板;和
设置在所述板上的发光模块,所述发光模块包括根据权利要求1至13中的任意一项所述的发光器件。
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