[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
申请号: | 201110135245.1 | 申请日: | 2011-05-19 |
公开(公告)号: | CN102263177A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 元钟学;金鲜京;曹京佑;朴仲绪 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
技术领域
实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换为光的半导体器件。LED可以通过调节化合物半导体的材料和组成比率来实现各种颜色。
在这样的LED中,当施加正向电压时,n层的电子与p层的空穴复合以产生与导带和价带之间的能隙相对应的光能。
对于光学器件和高功率电子装置的领域来说,作为组成LED的材料的氮化物半导体因为它们的高的热稳定性和宽的带隙能而备受关注。具体地,使用氮化物半导体的蓝光LED、红光LED、绿光LED以及UV LED正被商业化。
发明内容
实施例提供了发光器件、发光器件封装以及照明系统。
实施例还提供了具有提高的发光效率的发光器件和制造发光器件的方法。
在一个实施例中,发光器件包括:衬底;发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层,发光结构设置在衬底上;非金属图案,该非金属图案设置在衬底和有源层之间,该非金属图案与衬底隔开;以及空隙,该空隙设置在非金属图案的侧表面上。
在另一实施例中,发光器件封装包括:主体;设置在主体上的至少一个引线电极;以及发光器件,该发光器件电连接到引线电极,其中发光器件包括:衬底;发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层,发光结构设置在衬底上;非金属图案,该非金属图案设置在衬底和有源层之间,非金属图案与衬底隔开;以及空隙,该空隙设置在非金属图案的侧表面上。
在又一实施例中,照明系统包括:板;发光模块,该发光模块设置在板上,该发光模块包括发光器件,其中发光器件包括:衬底;发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层,发光结构设置在衬底上;非金属图案,该非金属图案设置在衬底和有源层之间,非金属图案与衬底隔开;以及空隙,该空隙设置在非金属图案的侧表面上。
在附图和下面的描述中,阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求书,其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。
图2是沿着图1的发光器件的线A-A’截取的截面图。
图3和图4是示出图1的发光器件的区域B的视图。
图5是将根据实施例的发光器件的发光效率和其上没有形成非金属图案的发光器件的发光效率进行比较的图。
图6是示出通过测量取决于根据实施例的发光器件的非金属图案的距离和宽度的变化的提取效率之间的关系而获得的试验结果的图。
图7至图12是示出制造根据实施例的发光器件的方法的视图。
图13和图14是根据另一实施例的发光器件的侧截面图。
图15是根据另一实施例的发光器件的侧截面图。
图16是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图17是根据实施例的显示装置的视图。
图18是示出根据实施例的显示装置的修改示例的视图。
图19是根据实施例的照明单元的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中,将会理解的是,当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称为在另一层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时,“上”和“下”的术语包括“直接地”和“间接地”的意义。此外,将会基于附图参考关于各层的“上”和“下”。
在附图中,为了便于描述和清楚起见,每层的厚度或者尺寸被夸大、省略、或者示意性地示出。而且,每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。
在下文中,将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法以及发光器件封装。
图1是根据实施例的发光器件100的侧截面图。图2是沿着图1的发光器件100的线A-A’截取的截面图。图3和图4是示出图1的发光器件100的区域B的视图。
参考图1至图4,根据实施例的发光器件100可以包括:衬底105;发光结构110,该发光结构110设置在衬底105上并且包括第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116;多个非金属图案151,所述多个非金属图案151设置在衬底105和有源层114之间;空隙,该空隙被限定在多个非金属图案151的侧表面上;第一电极120,该第一电极120设置在第一导电类型半导体层112上;透明电极层130;以及第二电极140。在这里,透明电极层130和第二电极140设置在第二导电类型半导体层116上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110135245.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:确定球体联结控制器的位置和运动
- 下一篇:井组件连接