[发明专利]具有二极管在存储串列中的三维阵列存储器架构

权利要求书

1.一种操作存储装置的方法，其特征在于，包含：

响应一第二读取操作而在一与一位线耦接的第二存储单元执行一读取操作，该第二读取操作是在一与该位线耦接的第一存储单元执行该读取操作之后进行，是执行：

施加一读取偏压至该第二存储单元而不需要在施加该读取偏压之前对该位线放电。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，该第一存储单元具有一临界电压在多个可选择临界电压分布中的一较小临界电压分布内。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，该读取偏压导致电流通过介于该源极线与该位线之间的一个二极管，该二极管防止电流自位线至源极线。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，该第一存储单元及该第二存储单元包含在一三维存储阵列中。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，该读取偏压根据是否有电流自第二存储单元的一源极线流至与该第二存储单元耦接的该位线而读取该第二存储单元上的一数据值。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，还执行：

在施加该读取偏压之前，对该位线预充电。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，响应该第二读取操作，还执行：

在施加该读取偏压之前，对该位线充分地预充电，使得对具有一临界电压在多个可选择临界电压分布中的一较小临界电压分布内的该第二存储单元响应，该电流无法响应施加至该第二存储单元的读取偏压而流动。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，响应该第二读取操作，还执行：

施加一系列的递增大小的电压至该第二存储单元的一栅极。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于，响应该第二读取操作，还执行：

施加一系列的递增大小的电压至该第二存储单元的一栅极，包括：响应该系列中先前的栅极电压导致该电流指示该第二存储单元上的该数据值没有与具有低于该先前栅极电压大小的临界电压分布对应，施加该系列中的下一个栅极电压至该第二存储单元的栅极。

10.一种存储装置，其特征在于，包含：

多个存储单元，其包含一第一存储单元及一第二存储单元；

多个位线与该多个存储单元耦接，该多个位线包括与该第一存储单元及该第二存储单元耦接的一位线；

多个源极线与该多个存储单元耦接，该多个位线包括与该第二存储单元耦接的一源极线；以及

控制电路，响应一第二读取操作而在一与一位线耦接的第二存储单元执行一读取操作，该第二读取操作是在一与该位线耦接的第一存储单元执行该读取操作之后进行，是执行：

该控制电路施加一读取偏压至该第二存储单元而不需要在施加该读取偏压之前对该位线放电。

11.根据权利要求10的存储装置，其特征在于，该第一存储单元具有一临界电压是在多个可选择临界电压分布中的一较小临界电压分布内。

12.根据权利要求10的存储装置，其特征在于，该读取偏压倒至电流通过介于该源极线与该位线之间的一个二极管，该二极管防止电流自位线至源极线。

13.根据权利要求10的存储装置，其特征在于，该第一存储单元及该第二存储单元包含在一三维存储阵列中。

14.根据权利要求10的存储装置，其特征在于，该第一存储单元及该第二存储单元包含在一多阶存储单元的存储阵列中。

15.根据权利要求10的存储装置，其特征在于，该控制电路响应该第二读取操作，还执行：

在施加该读取偏压之前，对该位线预充电。

16.根据权利要求10项的存储装置，其特征在于，该控制电路响应该第二读取操作，还执行：

在施加该读取偏压之前，对该位线充分地预充电，使得对具有一临界电压在多个可选择临界电压分布中的一较小临界电压分布内的该第二存储单元响应，该电流无法响应施加至该第二存储单元的读取偏压而流动。

17.根据权利要求10的存储装置，其特征在于，该控制电路响应该第二读取操作，还执行：

施加一系列的递增大小的电压至该第二存储单元的一栅极。