[发明专利]一种层叠封装件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110137033.7 申请日: 2011-05-25
公开(公告)号: CN102237331A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 孟岩;王凯;蔡强 申请(专利权)人: 北京索爱普天移动通信有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 101312 北京市顺*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 层叠 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体封装领域,特别设计一种层叠封装件及其制造方法。

背景技术

随着电子装置的尺寸减小,通过在一个半导体封装中堆叠多个芯片或者堆叠半导体封装个体来实现高集成密度。近年来,针对移动电子设备,已经引入了堆叠式半导体封装件。在逻辑电路和存储器集成领域,堆叠封装件((Package-on-Package,POP)已经成为业界的首选,主要用于制造高端便携式设备和智能手机使用的先进移动通讯平台,它是将逻辑封装件和存储器封装件嵌入一个封装件中的层叠封装件。利用层叠封装技术,在一个半导体封装件中可以包括不同类型的半导体器件。

现有堆叠封装件的制备工艺是将下层POP元件贴装在主板上,然后,将上层POP元件沾焊锡膏后贴装在下层POP元件上。这种制备工艺只是针对于下层POP元件的上端为焊盘、下层POP元件的上端为焊球的堆叠封装件,在贴装上层POP元件时只需要沾焊锡膏就可以达到好的焊接结果。但现在的堆叠封装件结构已变更为下层POP元件的上端为焊球的结构,所以用只沾焊锡膏的方式不能得到好的焊接结果了,易出现虚焊缺陷,原因是焊接过程中,上、下POP元件的两个焊球在过回流焊的时候,由于焊球融化时的表面张力没有被破坏,不能充分的融合到一起。

发明内容

为了解决现有技术中上、下层叠封装元件之间易出现虚焊的缺陷,本发明所要解决的技术问题是提供一种层叠封装件及其制造方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种层叠封装件,其包括上层封装元件和下层封装元件,所述上层封装元件第一表面设置有多个上层焊球,所述下层封装元件第一表面设有多个第一下层焊球,在所述下层封装元件背对第一表面的第二表面上设有多个第二下层焊球,所述上层焊球与第一下层焊球通过焊锡膏层连接,在所述焊锡膏层和第一下层焊球之间还形成有助焊剂层。

 本发明的另一个目的在于提供一种层叠封装件制造方法,该层叠封装件包括上层封装元件和下层封装元件,所述上层封装元件第一表面设置有多个上层焊球,所述下层封装元件第一表面设有多个第一下层焊球,在所述下层封装元件背对第一表面的第二表面上设有多个第二下层焊球,其制造步骤包括:

步骤1)、用吸嘴从助焊剂托盘中沾取助焊剂后转印到所述下层封装元件第一表面的多个第一下层焊球上;

步骤2)、将所述上层封装元件第一表面的多个上层焊球从焊锡膏托盘中沾取焊锡膏,并贴装在所述下层封装元件第一表面的多个第一下层焊球上。

步骤3)、将上层封装元件和下层封装元件进行回流焊接。

 进一步的,所述步骤1)中每个层叠封装件助焊剂的用量为0.00011~0.00021g。

进一步的,所述步骤1)中所述助焊剂托盘中助焊剂的厚度为150±10um。

进一步的,所述步骤2)中每个层叠封装件焊锡膏的用量为0.00238~0.00442g。

进一步的,所述步骤2)中所述焊锡膏托盘中焊锡膏的厚度为110±10um。

进一步的,所述吸嘴的直径为0.24mm。

进一步的,所述吸嘴的位置与所述下层封装元件第一表面的多个第一下层焊球位置相对应;所述吸嘴的数目与所述下层封装元件第一表面的多个第一下层焊球数目相对应。

本发明的有益效果是:本发明层叠封装件制造方法改进了现有层叠封装件的工艺流程,在采用原有焊锡膏的基础上,使用吸嘴在上、下层封装件的焊球之间还转印一层助焊剂,由于有了这层助焊剂的存在使得上层封装件的焊球与上层封装件的焊球之间的表面张力得以更好、更快的破坏,从而得到焊锡融化时好的浸润性,避免如虚焊、连焊等焊接缺陷的产生。

附图说明

图1为本发明层叠封装件的结构示意图。

附图中,各标号所代表的部件列表如下:

1、上层封装元件,2、下层封装元件,11、上层焊球,21、第一下层焊球,22、第二下层焊球,31、焊锡膏层,32、助焊剂层, 110、上层封装元件的第一表面,210、下层封装元件的第一表面,211、下层封装元件的第二表面。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。

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