[发明专利]一种半导体存储器件有效
| 申请号： | 201110137561.2 | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102800359A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘明;许中广;霍宗亮;龙世兵;谢常青;张满红;李冬梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：存储单元；每个所述存储单元包括字线、位线、阻变存储器件、选通器件和存储电容；
所述阻变存储器件的一端与所述位线相连，另一端与所述选通器件的源极/漏极相连；所述选通器件的栅极与一条所述字线相连，所述选通器件的漏极/源极与另一条所述字线相连；所述存储电容的一端与所述选通器件的漏极/源极相连，另一端接地。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述阻变存储器件的选通管包括：金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和三极管。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述阻变存储器件包括：单极器件、双极器件和无极器件。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述阻变存储器件的阻变层材料包括：钙钛矿氧化物、过渡金属二元氧化物、固态电解质、或有机物。
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