[发明专利]参数化单元的实现方法及由该参数化单元构成的系统

权利要求书

1.一种参数化单元的实现方法，其特征在于，该方法包括：

对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集；

分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数；

将所述每个器件模型的参数进行组合，并对每个组合方式进行验证，验证通过的组合方式所对应的器件模型形成参数化单元。

2.根据权利要求1所述的参数化单元的实现方法，其特征在于，

所述对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集，是对多个MOS管模型进行共性分析，提取多个MOS管模型的共同特征，形成MOS管的特征集；

所述分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数，是根据MOS管器件模型的特征，调用MOS管特征集中的子单元，对所述MOS管器件模型进行参数化实现，具体为：

定义并初始化MOS管的器件参数；

调用MOS管特征集中的参数精度取值范围子单元，并对所述参数精度取值范围子单元外的器件参数进行定义；

依据设计规则和MOS管示意图，确定扩散层坐标，选取所述扩散层坐标中的一点或多点作为基准以进行定位；

根据所述扩散层坐标，确定栅位置；

选取已知坐标点并依据设计规则确定源漏端金属位置；

调用MOS管特征集中的接触孔阵列子单元，确定源漏端的接触孔阵列的位置以及接触孔排列方式；

调用MOS管特征集中的漏源连接类型子单元，确定源漏端连接类型；

调用MOS管特征集中的绘制图层子单元，绘制MOS管的所述栅；

调用MOS管特征集中的栅极连接类型子单元，确定栅的连接方式；

调用MOS管特征集中的衬底连接子单元，确定集成型和分离型衬底连接；以及

调用MOS管特征集中的绘制图层子单元，绘制所述MOS管的各图层。

3.根据权利要求2所述的参数化单元的实现方法，其特征在于：

所述MOS管特征集包括源漏连接类型子单元、栅极连接类型子单元、衬底连接子单元、参数精度取值范围子单元、绘制图层子单元和接触孔阵列子单元中的至少一种；

所述MOS管的器件参数包括器件模型名称、MOS器件沟道长度和总宽度、沟道数量、栅极连接类型、漏源连接类型、漏源连接金属宽度、漏源交换类型和衬底连接中的多种。

4.根据权利要求2所述的参数化单元的实现方法，其特征在于：所述源漏连接类型包括都不连接、只连接漏端、只连接源端和源漏同时连接；

所述栅的连接方式包括所有栅都不连接、只连接顶部、只连接底部以及顶部和底部都连接。

5.根据权利要求1所述的参数化单元实现方法，其特征在于，所述对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集，是对多个电阻模型进行共性分析，提取多个电阻模型的共同特征，形成电阻的特征集；

所述分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数，是根据电阻器件模型的特征，调用电阻特征集中的子单元，对所述电阻模型进行参数化实现；其中：

所述电阻特征集包括电阻器件连接方式子单元、电阻头区接触孔行数和列数子单元，以及衬底连接子单元中的至少一种；

所述电阻模型的参数包括器件模型名称、电阻器件总段数、电阻器件连接方式、电阻值计算方式、电阻段电阻的长度和宽度、电阻头区接触孔行数和列数、衬底连接、器件上衬底接触向外伸展的距离、方块电阻值、段宽和长误差和扩散电阻值中的多种。

6.一种由权利要求1所述参数化单元构成的系统，其特征在于，包括：共性分析模块、参数实现模块和验证模块；其中，

所述共性分析模块，用于对器件模型进行共性分析，提取器件模型的共同特征形成特征集；

所述参数实现模块，用于分别根据每个器件模型的特征，调用特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现；

所述验证模块，用于将各器件模型的参数进行组合，对每个组合方式进行验证，验证通过的组合方式所对应的器件模型形成参数化单元。