[发明专利]参数化单元的实现方法及由该参数化单元构成的系统

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种参数化单元的实现方法及由该参数化单元构成的系统。

背景技术

一套成熟完善的工艺数据包(Process Design Kit，PDK)是保证集成电路设计快速高效完成的强有力工具。PDK是基于成熟和稳定的工艺而开发的一整套包括器件信息、工艺信息和验证文件的设计数据包。随着工艺的改进和设计工具版本的升级，不断改进和完善PDK能够有效地提高设计效率，缩短生产周期。

参数化单元(Parameterized Cell，PCell)是PDK的核心部分，参数化单元所指的参数是指组件描述格式(Component Description Format，CDF)参数，CDF参数的组合能够实现用户定制的功能。

但是随着集成电路特征尺寸的日益缩小，PDK的开发面临着新的挑战，随着PDK中参数化单元的增多，使工艺数据包变得越来越繁琐，这将影响集成电路的设计效率，而作为PDK的核心部分，如何有效地开发参数化单元，是一个值得深入研究的问题，具有重要的意义。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明旨在提供一种参数化单元的实现方法及由该参数化单元构成的系统，以降低参数化单元实现的复杂度。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明提供了一种参数化单元的实现方法，包括：对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集；分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数；将所述每个器件模型的参数进行组合，并对每个组合方式进行验证，验证通过的组合方式所对应的器件模型形成参数化单元。

与所述方法相对应地，本发明还提供一种由该参数化单元构成的系统，包括：共性分析模块、参数实现模块和验证模块；其中，所述共性分析模块，用于对器件模型进行共性分析，提取器件模型的共同特征形成特征集；所述参数实现模块，用于分别根据每个器件模型的特征，调用特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现；所述验证模块，用于将各器件模型的参数进行组合，对每个组合方式进行验证，验证通过的组合方式所对应的器件模型形成参数化单元。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：通过对器件模型的共性分析形成特征集，参数化单元的各器件模型调用特征集中的子单元来实现CDF参数设置，降低了参数化单元实现的复杂度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是依照本发明实施例的参数化单元的实现方法流程图；

图2是依照本发明实施例的MOS管器件模型参数化实现流程图；

图3是依照本发明实施例的参数化单元构成的系统框图；

图4是依照本发明另一实施例参数化单元构成的系统框图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

本发明实施例所示参数化单元包括多个MOS管器件模型和多个电阻器件模型，如图1所示，本发明实施例提供的参数化单元的实现方法包括如下步骤：

S1、对多个器件模型进行共性分析，提取多个器件模型的共同特征，形成特征集。

所述器件模型包括MOS管器件模型和电阻器件模型，分别提取MOS管和电阻的特征集，所述特征集中的每个子单元描述一种特征，而对于不同的器件模型，通过调用特征集中的一个或多个子单元，子单元的参数向器件模型进行传递，器件模型对子单元的参数进行设置，从而完成器件模型描述。

具体地，对于MOS管器件模型来说，所述特征集包括源漏连接类型、栅极连接类型、衬底连接、参数精度取值范围、绘制图层和接触孔阵列等子单元。而对于电阻器件模型，电阻模型的特征集可包括电阻器件连接方式、电阻头区接触孔行数和列数、衬底连接等子单元。

S2、分别根据每个器件模型的特征，调用所述特征集中的子单元，对所述每个器件模型进行参数化实现，得到每个器件模型的参数，即实现该器件模型的CDF参数设置。

S3、将所述每个器件模型的参数进行组合，并对每个组合方式进行验证，验证通过的组合方式所对应的器件模型形成参数化单元。