[发明专利]测试载片台

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路测试领域，尤其涉及一种测试载片台。

背景技术

测量晶圆(wafer)的导通电阻是检测晶圆质量的一项测试项目。对于导通电阻很小的晶圆，例如，导通电阻为几个毫欧、十几个毫欧的晶圆，通常采用4线开尔文方法测量其导通电阻，以保证测量精度。以低导通电阻的MOS管为例，MOS管有源极S、漏极D和栅极G，用4线开尔文方法测量MOS管的导通电阻时，MOS管的源极S、漏极D和栅极G分别引出两根导线--偏置导线F(force)和测量导线Se(sense)，如图1所示。

在实际产品中，MOS管的源极S和栅极G以金属盘(pad)的形式设置在晶圆正面，而MOS管的漏极D以金属盘的形式设置在晶圆反面。测量MOS管的导通电阻时，将晶圆放置在测试载片台上，图2所示为现有技术的测试载片台，所述测试载片台10用于承载晶圆的表面涂覆有导电层11，例如金属层，晶圆(图2中未示)的反面与所述导电层11接触，从所述测试载片台10引出一根偏置导线12和一根测量导线13，所述偏置导线12和测量导线13均与所述导电层11电连接，设置在晶圆反面的漏极通过所述导电层11与所述偏置导线12和测量导线13电连接，而晶圆的源极S和栅极G利用探针与外部电连接。现有技术中，所述偏置导线12与测量导线13之间的夹角为180°，如图2所示。

所述偏置导线12和测量导线13采用面接触方式与晶圆的漏极连接，接触面就是所述导电层11。测量时，测量点越接近晶圆的漏极，测量结果越准确，但是现有技术中晶圆的漏极与其对应的偏置导线和测量导线是面接触，而且与晶圆的漏极相对应的偏置导线和测量导线只有一组，很难保证测量点尽可能地与晶圆的漏极近(测量点在所述导电层11上)，因此，测量低导通电阻晶圆的导通电阻时，采用现有技术的测试载片台承载晶圆，测量误差较大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种测试载片台，测量低导通电阻晶圆的导通电阻时，采用该测试载片台承载晶圆，测量误差小，测量精度高。

为了达到上述的目的，本发明提供一种测试载片台，包括承载台和至少两组偏置导线和测量导线；所述承载台用于承载待测晶圆的表面涂覆有导电层；所述偏置导线和测量导线均设置在所述承载台上，且均与所述导电层电连接。

上述测试载片台，其中，所述偏置导线和测量导线以相间方式排布在同一圆周上，且所述偏置导线和测量导线沿其圆周均匀分布。

上述测试载片台，其中，所述偏置导线与其对应的测量导线之间的夹角为180°。

上述测试载片台，其中，所述偏置导线和测量导线均设置在所述承载台的侧壁上。

上述测试载片台，其中，所述导电层为金属层。

上述测试载片台，其中，该测试载片台设有三组偏置导线和测量导线。

本发明的测试载片台设有两组以上的偏置导线和测量导线，多组偏置导线和测量导线的组合可有效控制测量点尽可能地接近测晶圆的漏极，从而减小测量误差，提高测量精度。

附图说明

本发明的测试载片台由以下的实施例及附图给出。

图1是采用4线开尔文方法测量MOS管导通电阻的原理图。

图2是现有技术的测试载片台的结构示意图。

图3是本发明实施例的测试载片台的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合图1～图3对本发明的测试载片台作进一步的详细描述。

本发明的测试载片台包括承载台和至少两组偏置导线和测量导线；

所述承载台用于承载待测晶圆的表面涂覆有导电层；

所述偏置导线和测量导线均设置在所述承载台上，且均与所述导电层电连接。

本发明的测试载片台设有两组以上的偏置导线和测量导线，多组偏置导线和测量导线的组合可有效控制测量点尽可能地接近测晶圆的漏极，从而减小测量误差，提高测量精度。

现以一具体实施例详细说明本发明的测试载片台：

参见图3，本实施的测试载片台包括承载台和三组偏置导线和测量导线；

所述承载台用于承载待测晶圆的表面涂覆有导电层21，所述导电层21例如是金属层；

所述偏置导线和测量导线均设置在所述承载台上，且均与所述导电层21电连接；

本实施例中，所述偏置导线和测量导线均通过螺钉拧紧在所述承载台的侧壁上，且均与所述导电层21电连接；