[发明专利]PMOS管的制作方法

权利要求书

1.一种PMOS管的制作方法，该方法包括：

在半导体衬底表面形成第一硬掩膜层，并对第一硬掩膜层进行刻蚀，刻蚀后的第一硬掩膜层为位于半导体衬底之上的凸起结构；

采用外延生长工艺在刻蚀后的第一硬掩膜层两侧的半导体衬底之上分别生长漏极锗化硅SiGe外延层和源极SiGe外延层，且所述漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层的上表面低于所述第一硬掩膜层的上表面；

在所述漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层之上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层的上表面与所述第一硬掩膜层的上表面高度相同；

去除第一硬掩膜层后，所形成的开口暴露出半导体衬底；

采用外延生长工艺在暴露出的半导体衬底之上生长新的半导体衬底，且新的半导体衬底的上表面小于或等于漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层的上表面的高度；

在所述漏极SiGe外延层、源极SiGe外延层、保护层和第二硬掩膜层围绕而成的沟槽的内壁形成第一侧壁层，在所述沟槽内形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一硬掩膜层为二氧化硅；

所述第一硬掩膜层的厚度为20至400纳米。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层的厚度为所述第一硬掩膜层的厚度的二分之一。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第二硬掩膜层为氮化硅；

所述在漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层之上形成第二硬掩膜层的方法为：沉积氮化硅，采用化学机械研磨CMP工艺去除第一硬掩膜层上表面的氮化硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层之上形成第二硬掩膜层之前，该方法进一步包括：沉积保护层，并采用CMP工艺去除第一硬掩膜层上表面的保护层。

所述保护层为二氧化硅。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述新的半导体衬底的厚度为所述第一硬掩膜层的厚度的四分之一。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第一侧壁层为二氧化硅；

所述形成第一侧壁层的方法为：沉积二氧化硅，并采用干法刻蚀对所沉积的二氧化硅进行刻蚀，刻蚀后的二氧化硅位于漏极SiGe外延层、源极SiGe外延层、保护层和第二硬掩膜层围绕而成的沟槽的内壁。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述栅极结构包括：栅氧化层和位于栅氧化层之上的栅极；

所述形成栅极结构的方法为：在暴露出的新的半导体衬底之上生长栅氧化层，然后沉积多晶硅，并采用CMP工艺将多晶硅研磨至第二硬掩膜层的上表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟槽内形成栅极结构之后，该方法进一步包括：

去除第二硬掩膜层；

进行轻掺杂漏LDD注入，在栅极结构两侧的漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层内分别形成轻掺杂漏极和轻掺杂源极，进行快速热退火处理；

形成围绕所述第一侧壁层的第二侧壁层；

进行离子注入，在栅极结构两侧的漏极SiGe外延层和源极SiGe外延层内形成漏极和源极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述第二侧壁层为氮化硅；

所述形成第二侧壁层的方法为：沉积氮化硅，并采用干法刻蚀对沉积的氮化硅进行刻蚀，刻蚀后的氮化硅围绕第一侧壁层。