[发明专利]一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法有效
| 申请号： | 201110139977.8 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102795855A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 周延春;孙鲁超;王京阳;王杰民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B35/505 | 分类号： | C04B35/505;C04B35/626 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 微波 法制 sub si 材料 方法 | ||
1.一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：其以氧化钇粉(Y2O3)，氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)为原料，采用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料，原料的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)，粉体材料为100-300目。
2.根据权利要求1所述的制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：具体步骤为，
(1)球磨处理：将原料粉末混合经球磨机球磨8～24小时，球磨介质与粉末分离后，将粉末置于烘箱中，在50℃～70℃下烘干，得到干燥粉末；
(2)微波合成：将步骤(1)得到的混合均匀的干燥粉末放到氧化铝坩埚中，置于通有氮气的微波高温炉中进行微波合成，微波高温炉升温速率为5℃～100℃/min，到达1200℃～1550℃时保温反应0.5～2小时，得到纯净单相的Y4Si2O7N2粉体材料，粉体材料的粒度为100-300目。
3.根据权利要求1所述的制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：原料氧化钇粉的纯度为99.99wt.％，氧化硅纯度为99wt.％，氮化硅粉纯度≥95wt.％。
4.根据权利要求2所述的制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：步骤1)中的球磨处理采用的是氮化硅球于乙醇中进行常规湿磨。
5.根据权利要求2所述的制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：步骤1)中，球磨介质与原料粉末的分离采用过筛法，筛子的孔径为100目。
6.根据权利要求2所述的制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：步骤2)中所述的氮气纯度≥99.5％。
7.根据权利要求2所述的制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：步骤2)中所述的氧化铝坩埚四周均匀排布一层吸波材料。
8.根据权利要求7所述的制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法，其特征在于：所采用的吸波材料为SiC。
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