[发明专利]一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法有效

专利信息
申请号: 201110139977.8 申请日: 2011-05-27
公开(公告)号: CN102795855A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 周延春;孙鲁超;王京阳;王杰民 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C04B35/505 分类号: C04B35/505;C04B35/626
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 利用 微波 法制 sub si 材料 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。

背景技术

Y4Si2O7N2陶瓷材料是一种熔点高达1980℃的新型难熔陶瓷材料,具有高硬度,高模量,很好的介电性能,因此可以作为一种新型的高温结构/功能陶瓷。由于在高温下该陶瓷具有很低的热导率,较低的密度和较高的抗弯强度,因此Y4Si2O7N2也可以作为潜在的隔热材料,在航空、航天、核工业、超高温结构件等高新技术领域都有潜在的广泛应用前景。但是由于Y4Si2O7N2在Y2O3-SiO2-Si3N4体系中高温时竞争相很多,因而难以获得严格符合化学计量比的Y4Si2O7N2陶瓷。目前采用的制备方法为将Y2O3,SiO2和Si3N4粉末在氮气气氛,1650℃保温2个小时合成制备(Journal of the European Ceramic Society,16,1996,553-560)。其缺点是合成温度高,耗时长,且所得样品中含有Y2O3杂质相。

发明内容

本发明就是针对上述问题,提供了一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法,其工艺简单、温度较低,耗时较短,特别是能够获得单一纯净的Y4Si2O7N2陶瓷粉末。

为了实现本发明的上述目的,本发明采用如下技术方案:

以氧化钇粉(Y2O3),氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料来合成单相纯净的Y4Si2O7N2粉体材料(100-300目),原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4=4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。

利用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料,具体步骤为:

(1)球磨处理:将原料粉末混合物经球磨机球磨8~24小时,球磨介质与粉末分离后,将粉末置于烘箱中,在50℃~70℃下烘干,得到干燥粉末;

(2)微波合成:将步骤1)得到的混合均匀的干燥粉末放到氧化铝坩埚中,置于通有氮气的微波高温炉中进行微波合成,微波高温炉升温速率为5℃~100℃/min,到达1200℃~1550℃时保温反应0.5~2小时,得到纯净单相的Y4Si2O7N2陶瓷粉末。

原料氧化钇粉的纯度为99.99wt.%,氧化硅纯度为99wt.%,氮化硅粉纯度≥95wt.%。

步骤1)的球磨处理采用的是氮化硅球于乙醇中进行常规湿磨。

球磨介质与原料粉末的分离采用过筛法,筛子的孔径为100目。

步骤2)中所述的氮气纯度≥99.5%。

步骤2)中所述的氧化铝坩埚四周均匀排布一层吸波材料。

采用的吸波材料为碳化硅。

本发明具有如下优点:

1.本发明采用微波合成的方法来制备Y4Si2O7N2陶瓷粉末,较之前所采用的合成温度降低了200~300℃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110139977.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top