[发明专利]一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法有效
申请号: | 201110139977.8 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN102795855A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 周延春;孙鲁超;王京阳;王杰民 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B35/505 | 分类号: | C04B35/505;C04B35/626 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 微波 法制 sub si 材料 方法 | ||
技术领域
本发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。
背景技术
Y4Si2O7N2陶瓷材料是一种熔点高达1980℃的新型难熔陶瓷材料,具有高硬度,高模量,很好的介电性能,因此可以作为一种新型的高温结构/功能陶瓷。由于在高温下该陶瓷具有很低的热导率,较低的密度和较高的抗弯强度,因此Y4Si2O7N2也可以作为潜在的隔热材料,在航空、航天、核工业、超高温结构件等高新技术领域都有潜在的广泛应用前景。但是由于Y4Si2O7N2在Y2O3-SiO2-Si3N4体系中高温时竞争相很多,因而难以获得严格符合化学计量比的Y4Si2O7N2陶瓷。目前采用的制备方法为将Y2O3,SiO2和Si3N4粉末在氮气气氛,1650℃保温2个小时合成制备(Journal of the European Ceramic Society,16,1996,553-560)。其缺点是合成温度高,耗时长,且所得样品中含有Y2O3杂质相。
发明内容
本发明就是针对上述问题,提供了一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法,其工艺简单、温度较低,耗时较短,特别是能够获得单一纯净的Y4Si2O7N2陶瓷粉末。
为了实现本发明的上述目的,本发明采用如下技术方案:
以氧化钇粉(Y2O3),氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料来合成单相纯净的Y4Si2O7N2粉体材料(100-300目),原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4=4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。
利用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料,具体步骤为:
(1)球磨处理:将原料粉末混合物经球磨机球磨8~24小时,球磨介质与粉末分离后,将粉末置于烘箱中,在50℃~70℃下烘干,得到干燥粉末;
(2)微波合成:将步骤1)得到的混合均匀的干燥粉末放到氧化铝坩埚中,置于通有氮气的微波高温炉中进行微波合成,微波高温炉升温速率为5℃~100℃/min,到达1200℃~1550℃时保温反应0.5~2小时,得到纯净单相的Y4Si2O7N2陶瓷粉末。
原料氧化钇粉的纯度为99.99wt.%,氧化硅纯度为99wt.%,氮化硅粉纯度≥95wt.%。
步骤1)的球磨处理采用的是氮化硅球于乙醇中进行常规湿磨。
球磨介质与原料粉末的分离采用过筛法,筛子的孔径为100目。
步骤2)中所述的氮气纯度≥99.5%。
步骤2)中所述的氧化铝坩埚四周均匀排布一层吸波材料。
采用的吸波材料为碳化硅。
本发明具有如下优点:
1.本发明采用微波合成的方法来制备Y4Si2O7N2陶瓷粉末,较之前所采用的合成温度降低了200~300℃。
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