[发明专利]功率用半导体装置

权利要求书

1.一种功率用半导体装置，其特征在于，包括：

高侧开关元件及低侧开关元件，在高压侧电位与低压侧电位之间从高压侧依次图腾柱连接；

高侧驱动电路，驱动所述高侧开关元件；

低侧驱动电路，驱动所述低侧开关元件；

电容器，一端连接于所述高侧开关元件与所述低侧开关元件的连接点，另一端连接于所述高侧驱动电路的电源端子，向所述高侧驱动电路供给驱动电压；以及

二极管，正极连接于电源，负极连接于所述电容器的所述另一端，将来自所述电源的电流供给至所述电容器的所述另一端，

所述二极管具有：

P型半导体衬底；

N型负极区域，设在所述P型半导体衬底的表面；

P型正极区域，设在所述N型负极区域内；

P型接触区域及N型接触区域，设在所述P型正极区域内；

负极电极，连接于所述N型负极区域；以及

正极电极，连接于所述P型接触区域及所述N型接触区域。

2.根据权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述P型接触区域具有与所述N型接触区域相比接近所述负极电极的第一P型区域。

3.根据权利要求2所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述P型接触区域还具有与所述N型接触区域相比远离所述负极电极的第二P型区域。

4.根据权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述P型接触区域具有多个第一P型区域，

所述N型接触区域具有多个第一N型区域，

在所述P型半导体衬底的所述表面，沿着与从所述正极电极朝向所述负极电极的方向垂直的方向，交互配置所述多个第一P型区域和所述多个第一N型区域。

5.根据权利要求4所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述N型接触区域还具有与所述多个第一P型区域和所述多个第一N型区域相比远离所述负极电极的第二N型区域，

所述P型接触区域还具有与所述第二N型区域相比远离所述负极电极的第二P型区域。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的功率用半导体装置，其特征在于，还包括：

场氧化膜，在所述正极电极与所述负极电极之间设在所述P型半导体衬底上；以及

P型电压保持区域，设在所述N型负极区域内，与所述P型正极区域连接，并且延伸到所述场氧化膜下。

7.根据权利要求6所述的功率用半导体装置，其特征在于，

所述P型电压保持区域具有多个条状的区域，

在所述P型半导体衬底的所述表面，沿着与从所述正极电极朝向所述负极电极的方向垂直的方向，所述多个条状的区域互相平行排列。