[发明专利]薄膜晶体管像素结构及其修复方法有效
申请号: | 201110140397.0 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN102629043A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 吴松 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 像素 结构 及其 修复 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管像素结构,包括像素电极和公共电极线,所述像素电极与第一薄膜晶体管的漏极相连接,所述第一薄膜晶体管的源极连接至数据线,并且所述数据线与所述公共电极线以及栅极线交叉;
所述薄膜晶体管像素结构的特征在于,还包括预设的辅助薄膜晶体管,当所述像素结构中出现缺陷时,能够通过将所述辅助薄膜晶体管选择性地连接至所述像素结构来修复所述缺陷。
2.根据权利要求1的薄膜晶体管像素结构,其中所述辅助薄膜晶体管的漏极与所述像素电极重叠。
3.根据权利要求2的薄膜晶体管像素结构,其中所述栅极线在与所述数据线交叉的位置处具有镂空部分,并且所述镂空部分与所述辅助薄膜晶体管的源极重叠。
4.根据权利要求2的薄膜晶体管像素结构,其中所述辅助薄膜晶体管的源极连接至所述数据线。
5.根据权利要求4的薄膜晶体管像素结构,其中所述栅极线在与所述数据线交叉的位置处具有镂空部分,并且所述镂空部分与所述辅助薄膜晶体管的源极重叠。
6.根据权利要求3或5的薄膜晶体管像素结构,其中所述栅极线中的镂空部分从所述栅极线断开。
7.根据权利要求2或3的薄膜晶体管像素结构,其中所述辅助薄膜晶体管的源极与相邻的遮光线重叠,并且所述公共电极线在与所述数据线交叉的位置处具有镂空部分。
8.根据权利要求4的薄膜晶体管像素结构,其中所述辅助薄膜晶体管的源极与相邻的遮光线重叠,并且所述公共电极线在与所述数据线交叉的位置处具有镂空部分。
9.根据权利要求7的薄膜晶体管像素结构,其中所述镂空部分在与所述数据线交叉的位置处的一侧是断开的。
10.根据权利要求8的薄膜晶体管像素结构,其中所述镂空部分在与所述数据线交叉的位置处的一侧是断开的。
11.一种用于修复如权利要求3所述的薄膜晶体管像素结构的方法,其中当所述第一薄膜晶体管出现缺陷时,所述方法执行如下步骤:
找到缺陷所在像素坐标;
通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的漏极连接至所述像素电极;
通过激光焊接将辅助薄膜晶体管的源极连接至镂空的栅极线,并且将数据线连接至镂空的栅极线;和
利用激光切断所述镂空的栅极线部分与栅极线之间的连接。
12.一种用于修复如权利要求4所述的薄膜晶体管像素结构的方法,其中当所述第一薄膜晶体管出现缺陷时,所述方法执行如下步骤:
找到缺陷所在像素坐标;
通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的漏极连接至所述像素电极;和
利用激光切断所述第一薄膜晶体管的源极。
13.一种用于修复如权利要求7所述的薄膜晶体管像素结构的方法,其中当所述数据线中出现断线时,所述方法执行如下步骤:
找到缺陷所在像素坐标;
通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的源极连接至遮光线;
通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的源极通过所述栅极线的镂空部分连接至所述数据线;
通过激光焊接将数据线连接至镂空的公共电极线;和
利用激光切断所述公共电极线的镂空部分与公共电极线之间的连接。
14.一种用于修复如权利要求8所述的薄膜晶体管像素结构的方法,其中当所述数据线中出现断线时,所述方法执行如下步骤:
找到缺陷所在像素坐标;
通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的源极连接至所述遮光线;
通过激光焊接将数据线连接至镂空的公共电极线;和
利用激光切断所述公共电极线的镂空部分与公共电极线之间的连接。
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