[发明专利]薄膜晶体管像素结构及其修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管像素结构，特别是能够利用激光焊接和激光切断来修复点缺陷以及数据线断线的薄膜晶体管像素结构。本发明还涉及能够应用于上述薄膜晶体管像素结构的修复方法。

背景技术

在液晶面板制造过程中，修复是提高良率一个重要的手段。

对于阵列基板所导致的缺陷，一般利用激光进行修复。激光修复可以分为：激光切断，即利用激光的热能，将同层金属或者非金属薄膜切断；激光焊接，即利用激光的热能，将不同层的金属薄膜进行上下的熔接，使得上下层金属导通，达到短路的目的；以及激光化学气相沉积，即利用激光的分解能，将金属前驱物进行分解成金属，在金属薄膜断开的部位沉积，达到同层短路对断路进行修复的目的。激光切断和激光焊接一般采用同一种激光源，而激光化学气相沉积采用不同的激光源，由于激光源和机台的不同，一般激光化学气相沉积比激光切断和激光焊接的机台成本和运营成本要高得多。

目前我们对于点缺陷的修复，一般采用将明点进行暗点化的修复，即如果点缺陷为明点，通过激光切断和焊接，将其变成暗点，由于常白模式TFT-LCD点缺陷主要为明点，因此此时比较有效，而对于常黑模式TFT-LCD来说，点缺陷主要为暗点，无需修复，但是如果暗点的数量超过了一定的数量，此时也无法进行出货，造成了损失。而如果我们能将点缺陷，无论是明点还是暗点都修复成正常的点，那样就没有了修复数量的限制。

目前我们对于数据线断线的修复，主要采用激光化学气相沉积的方法，但是此方法只能在阵列基板上进行，如果已经经过了成盒工程，则无法利用激光化学气相沉积的方法，此时需要利用数据线断线修复线进行修复，而利用此方法进行数据线断线修复，一般情况下最多只能修复2根或4根数据线断线，如果数据线断线超过了这个限制，则此面板只能进行废弃。

发明内容

本发明通过改进像素结构，使得利用激光切断和激光焊接即可以完全修复由于沟道原因造成的点缺陷，并能够修复多根数据线断线，进而提高了产品的良率。

根据本发明的第一方面，提供了一种薄膜晶体管像素结构，其包括像素电极和公共电极线，像素电极与第一薄膜晶体管的漏极相连接，第一薄膜晶体管的源极连接至数据线，并且所述数据线与所述公共电极线以及栅极线交叉；该薄膜晶体管像素结构的特征在于，还包括预设的辅助薄膜晶体管，当所述像素结构中出现缺陷时，能够通过将所述辅助薄膜晶体管选择性地连接至所述像素结构来修复所述缺陷。

根据本发明的实施例，辅助薄膜晶体管的漏极与所述像素电极重叠。

根据本发明的实施例，栅极线在与数据线交叉的位置处可以具有镂空部分，并且所述镂空部分与所述辅助薄膜晶体管的源极重叠。

根据本发明的实施例，辅助薄膜晶体管的源极可以与所述数据线相连或有重叠，并且与遮光线具有重叠。

根据本发明的实施例，栅极线中的镂空部分可以从所述栅极线断开。

根据本发明的实施例，公共电极线在与所述数据线交叉的位置处具有镂空部分，并且该镂空部分在与数据线交叉的位置处的一侧是断开的。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于修复如第一方面所述的薄膜晶体管像素结构的方法，其中当第一薄膜晶体管出现缺陷时，所述方法执行如下步骤：找到缺陷所在像素坐标；通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的漏极连接至所述像素电极；通过激光焊接将辅助薄膜晶体管的源极连接至镂空的栅极线，并且将数据线连接至镂空的栅极线；和利用激光切断所述镂空的栅极线部分与栅极线之间的连接。其中在像素结构中辅助薄膜晶体管的源极已经连接至数据线的情况下，省略上述第三步骤。

根据本发明的第三方面，提供了一种用于修复如第一方面所述的薄膜晶体管像素结构的方法，其中当数据线中出现断线时，所述方法执行如下步骤：找到缺陷所在像素坐标；通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的源极连接至遮光线；通过激光焊接将所述辅助薄膜晶体管的源极通过所述栅极线的镂空部分连接至所述数据线；通过激光焊接将数据线连接至镂空的公共电极线；和利用激光切断所述公共电极线的镂空部分与公共电极线之间的连接。其中在像素结构中辅助薄膜晶体管的源极已经连接至数据线的情况下，省略上述第三步骤。

附图说明

下面将参照附图对本发明的各个实施例进行详细说明，附图中：

图1是示出了根据本发明第一实施例的薄膜晶体管像素结构的视图；

图2是示出了在根据本发明第一实施例的薄膜晶体管像素结构中修复点缺陷的示意图；

图3是示出了在根据本发明第一实施例的薄膜晶体管像素结构中修复数据线断线的示意图；