[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，

向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将上述处理容器内保持为真空的状态，

通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向上述处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

调整上述第1工序的次数和上述第2工序的次数，使得平坦膜的膜中的Si浓度成为1.0atm％以下。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在供给上述锆原料和供给上述氧化剂之间、以及供给上述硅原料和供给上述氧化剂之间、供给上述锆原料和供给上述硅原料之间，排出上述处理容器内的气体。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在上述成膜后，在450℃以下的温度条件下对所获得的膜进行退火处理。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

上述锆原料是从四(乙基甲基氨基)锆即TEMAZ、四(二乙基氨基)锆即TDEAZ、环戊二烯三(二甲基氨基)锆即MCPDTMZ中选择的任1种原料。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

在使上述锆原料气化时，利用上述锆原料的蒸气压使该锆原料气化。

7.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

上述锆原料是从三(二甲氨基)硅烷即3DMAS、四(二甲氨基)硅烷即4DMAS、双叔丁基氨基硅烷即BTBAS、二氯硅烷即DCS、六氯乙硅烷即HCD、单硅烷即SiH₄、乙硅烷即Si₂H₆、四氯化硅即TCS中选择的任一种原料。

8.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

上述氧化剂是从O₂气体和H₂气体形成的自由基、以及O₃气体、H₂O气体、O₂气体、NO₂气体、NO气体、N₂O气体中选择的至少1种。

9.一种成膜装置，该成膜装置是用于在被处理体上形成金属氧化膜的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置包括：

处理容器，其为能保持真空的立式容器，呈筒体状；

保持构件，其在将上述被处理体保持为多层的状态下将该被处理体收容在上述处理容器内；

加热装置，其被设置于上述处理容器的外周；

锆原料供给机构，其用于向上述处理容器内供给锆原料；

硅原料供给机构，其用于向上述处理容器内供给硅原料；

氧化剂供给机构，其用于向上述处理容器内供给氧化剂；

控制机构，其控制上述锆原料供给机构、上述硅原料供给机构和上述氧化剂供给机构，

上述控制机构进行控制，从而向能保持真空的上述处理容器内搬入被处理体，将上述处理容器内保持为真空的状态，通过调整第1工序的次数和第2工序的次数，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向上述处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在上述被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在上述被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。

10.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，

上述控制机构调整上述第1工序的次数和上述第2工序的次数，使得平坦膜的膜中的Si浓度成为1.0atm％以下。

11.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，

上述控制机构进行控制，使得在供给上述锆原料和供给上述氧化剂之间、以及供给上述硅原料和供给上述氧化剂之间、供给上述锆原料和供给上述硅原料之间，排出上述处理容器内的气体。